Большая техническая энциклопедия
2 4 7
D L N
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
А- АА АБ АВ АГ АД АЕ АЖ АЗ АИ АЙ АК АЛ АМ АН АП АР АС АТ АУ АЦ

Активные элементы - схема

 
Активные элементы схемы ( диоды, транзисторы и др.) изготовляют по обычной технологии, но в миниатюрном или бескорпусном оформлении и монтируют на подложке.
Способы задания нагрузок при расчетах режимов. Активные элементы схем замещения электрических сетей и систем - нагрузки и генераторы - представляются в виде линейных или нелинейных источников. В зависимости от способа задания нагрузок и генераторов уравнения установившегося режима линейны пли нелинейны.
Поэтому в этой главе будут охарактеризованы полупроводниковые триоды как активные элементы схем, кратко рассмотрен принцип их работы и отмечены принципиальные отличия их от вакуумных приборов.
Тиратроны тлеющего разряда - это ионные трех - или четырехэлектродные приборы, которые используются как индикаторы и генераторы релаксационных колебаний и другие активные элементы схем. Тиратроны имеют анод, холодный катод, одну ( трехэлектродный прибор) или две ( тетродный тиратрон) сетки. Все электроды помещены в миниатюрный стеклянный баллон, заполненный инертным газом при давлении порядка 103 Па. В зависимости от типа прибора конструкции отдельных электродов различны, но в любом из них катод ( чаще всего катод молибденовый или никелевый, активированный материалом с малой работой выхода) имеет более развитую поверхность по сравнению с анодом. Сетки обычно выполняют в виде пластин с круглыми отверстиями ( диафрагмами), а анод - из молибденовой проволоки. Трехэлектродные ( триодные) тиратроны относятся к приборам с токовым управлением, а тетродные - с потенциальным управлением.
Пленочная микросхема двоичного.| Схема логич. элемента NOR и ее выполнение в виде интегральной твердой схемы. в центре - прямоугольный эмиттер, права - 3 входных сопротивления в виде 3 змеевидных участков. В качестве сопротивлений в твердых схемах используются объемные сопротивления отд. Активные элементы схемы ( полупроводниковые приборы) формируются из р-п - и га-р-переходов, создаваемых при по мощи диффузии соответствующей примеси в тело полупроводника; в качество емкости можно также использовать подобные переходы, подавая на них пост, смещающее напряжение, однако их применение в ряде случаев ограничено, так как такие конденсаторы являются поляризованными и их емкость нелинейно зависит от приложенного напряжения.
При использовании пленочной технологии на подложку наносятся проводящие, диэлектрические, ферромагнитные и резистивные пленки преимущественно способом термического испарения в вакууме. Такими же способами возможно выполнять и активные элементы схемы: полупроводниковые диоды и триоды. Конечно, такое производство пока еще очень сложно, требует высокой тщательности и почти полной его автоматизации. Но зато изделия, полученные таким способом, обладают исключительной надежностью.
Основные этапы изгото. Этот метод позволяет образовать на плате как пассивные, так и активные элементы схем. Его называют иногда методом напыления.
Этот метод позволяет образовать на плате как пассивные, так и активные элементы схем. Его называют иногда методом напыления. Если же пленка образуется путем конденсации пара на подложке, то термин напыление недопустим и правилен термин конденсация. Тот же путь ведет к прогрессивным интегральным схемам.
Структура интегральной схемы. Интегральная схема состоит из кремниевой монокристаллической подложки, на которой выращен эпитаксиальный слой с легированными областями созданными путем диффузии. Границы между легированными областями образуют р - - переходы, из которых состоят активные элементы схемы. Эти отдельные активные элементы ( диоды и транзисторы), будучи соединены между собой, образуют интегральную схему. На поверхности кремния выращивается тонкая ( - 1 мкм) пленка Ю2, играющая важную роль защиты р - n - переходов от внешних воздействий. Кроме того, SiO2 служит изолирующим слоем, на который наносится тонкая ( 0 5 - 1 мкм) пленка металла, обычно алюминия. Алюминий, нанесенный в виде определенного геометрического рисунка, образует электрические контакты с кремнием ( через отверстия, или окна в окисле) и соединяет между собой активные элементы.
При проверке отдельного элемента необходимо исключить влияние остальных элементов схемы. Для этого его отпаивают от схемы с одной стороны. Активные элементы схемы подвергаются проверке в рабочем состоянии по эпюрам напряжения. Неисправные заменяются исправными согласно спецификации к принципиальной электрической схеме осциллографа. Если нужный тип элемента отсутствует, его можно заменить подобным, причем необходимо учитывать соизмеримость электрических параметров и механических размеров, так как неполная эквивалентность заменяющего элемента может повлиять на параметры осциллографа.
Твердые схемы - электронные узлы, получаемые путем создания в полупроводниковом кристалле участков, которые по своим свойствам эквивалентны пассивным или активным элементам, а в совокупности выполняют функции, аналогичные электронным схемам. В качестве сопротивлений в твердых схемах используются отдельные участки полупроводникового материала. Активные элементы схемы формируются из р-п и п-р переходов, образуемых диффузией соответствующей примеси в тело полупроводника. Емкости создаются нанесением на поверхность полупроводника в качестве диэлектрика окислов с последующим распылением на них металлической пленки.

При разработке радиоэлектронной аппаратуры на основе твердых схем электронные узлы получаются путем создания в полупроводниковой пластине участков, которые по своим свойствам эквиваленты пассивным или активным элементам, а в совокупности выполняют функции, аналогичные электронным схемам. В качестве резисторов в твердых схемах используют объемные сопротивления отдельных участков полупроводникового материала. Активные элементы схемы формируются из р-п и п-р переходов, создаваемых диффузией соответствующей примеси в тело полупроводника. В качестве емкости также можно использовать подобные переходы, подавая на них постоянное смещающее напряжение. Однако их применение в ряде случаев ограничено, так как такие конденсаторы являются поляризованными и емкость нелинейно зависит от приложенного напряжения. Другой тип емкости создают путем нанесения на поверхность полупроводника в качестве диэлектрика окислов с последующим напылением на них металлической пленки.
Микросхема предназначена для построения 12-разрядного цифро-аналогового преобразователя двоичного параллельного цифрового кода в выходной постоянный ток. Выполнена по схеме с суммированием разрядных токов. Технологически состоит из двух кристаллов и содержит 177 интегральных элементов. В объеме первого кристалла содержатся активные элементы схемы на п-р - п и р-п - р транзисторах, изготовленных по планарно-эпитаксиальной технологии, а на поверхности второго - прецизионные тонкопленочные резисторы, номиналы которых устанавливаются с помощью лазерной подгонки. Микросхема управляется по входу стандартными логическими уровнями от ТТЛ и КМОП цифровых микросхем и способна работать в режимах униполярного и биполярного выходных токов.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11