Большая техническая энциклопедия
2 4 7
D L N
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
ДА ДВ ДЕ ДИ ДЛ ДО ДР ДУ ДЫ

Данный кристалл

 
Данный кристалл и по настоящее время остается одним из наиболее перспективных для таких применений. Напомним, что его голографи-ческая чувствительность в сине-зеленой области спектра на пространственной частоте Л 1 1000 мм 1 составляет S - l 10 - 3Дж / см2 ( 10 - 4 Дж / сма при А.
Для данного кристалла в направлении 6 дифрагирует только излучение с длиной волны, удовлетворяющей закону Брэгга. Рассматриваются только отражения первого порядка. Практически наблюдаются и спектры других порядков.
Шмидта данного кристалла, зависящая от площадки скольжения, температуры и чистоты кристалла; у - поверхностная энергия.
Особенностью данного кристалла является возможность управления доменной структурой приложением как электрического поля, так и упругой деформации. Действительно, авторами было установлено, что относительное увеличение интенсивности второй гармоники испытывает только волна с поляризацией, соответствующей спонтанной деформации кристалла.
Конструкции держателей кварцевых резонаторов, предложенные. Если для данного кристалла известна нелинейная часть зависимости частоты от массы, то область измерения толщин может быть продвинута до толщин в несколько микрон.
Пусть для данного кристалла эллипсоидом Френеля является эллипсоид АСАВ ( черт.
Решетки Бравэ. Решеткой Бравэ данного кристалла называют совокупность одинаковых и одинаково расположенных атомов. Однако атомы одной решетки Бравэ не обязательно исчерпывают все атомы в кристалле, и в общем случае кристалл описывается несколькими решетками Бравэ, вдвинутыми одна в другую.
Если от данного кристалла получить три рентгенограммы, соответствующие вращению вокруг трех наиболее простых направлений в кристалле, то таким путем могут быть определены три ребра элементарной ячейки. Метод вращающегося кристалла широко применяется и для полного определения структур, но соответствующая аппаратура и самый ход расшифровки рентгенограмм значительно сложнее.
Таким образом, данные кристаллы имеют две различные диэлектрические проницаемости: величину е3 и одинаковые значения ег ( е2) вдвух перпендикулярных ( к главному направлению, вдоль которого е е3) направлениях. В этих кристаллах главная ось со значением е е3 совпадает с осью симметрии наиболее высокого порядка ( с осью 3, 4, 4, 6 или 6), которая в кристаллах средних систем только одна.
Плотная упаковка шаров одинакового радиуса. а - гранецентрированная кубическая решетка. б - гексагональная решетка. Частицы, образующие данный кристалл, значительно различаются между собой своими радиусами. Это наблюдается в ионных соединениях, когда кристалл образован ионами с различными знаками заряда. Белову, принцип плотнейшей упаковки применим и в случае ионных соединений. На рис. 25 дана схема подобной укладки шаров различного радиуса. При этом более крупные шары в большинстве случаев образуют кубическую или гексагональную решетку, а более мелкие - занимают свободное пространство между ними, в максимальной степени заполняя его.
Элементарные ячейки каждого данного кристалла одинаково ориентированы в пространстве, располагаясь последовательно, они имеют общие с соседними ячейками атомы и в целом образуют пространственную решетку.
К какой системе принадлежит данный кристалл, определяется измерением углов между его гранями и определением числа осей, необходимых для решения вопроса о принципиальных особенностях его формы. Если необходимы дне перпендикулярные, эквивалентные оси и третья неэквивалентная ось, не.

К какой системе принадлежит данный кристалл, определяется измерением углов между его гранями и определением числа осей, необходимых для решения вопроса о принципиальных особенностях его формы. Если необходимы две перпендикулярные, эквивалентные оси и третья неэквивалентная ось, не.
При всех преобразованиях симметрии данного кристалла все компоненты его тензора 7г / с / должны оставаться неизменными по величине. Действительно, при отражении в центре ( изменение знака всех трех координат) меняют знак все компоненты тензора третьего ранга.
Комбинация элементов симметрии для данного кристалла определяет его пространственную группу. Различным сочетанием элементов симметрии между собой может быть выведено 230 пространственных групп, называемых федоровскими.
Комбинация элементов симметрии для данного кристалла определяет его пространственную группу.
Совокупность всех преобразований симметрии данного кристалла составляет его магнитную пространственную группу. Для того чтобы определить принадлежность кристалла к той илп иной магнитной пространственной группе, необходимо точно знать расположение магнитных моментов атомов в решетке, что может быть выяснено, напр.
Дальнейшие выводы в отношении данного кристалла возможны только на основе более сложных соотношений, соответствующих комбинациям элементов симметрии.
При всех преобразованиях симметрии данного кристалла все компоненты его тензора 7л ы должны оставаться неизменными по величине. Действительно, при отражении в центре ( изменение знака всех трех координат) меняют знак все компоненты тензора третьего ранга.
Кристалл NaCl и его атомная структура. Грань, которой на данном кристалле нет, но которая может оказаться на других кристаллах того же вещества, называется возможной гранью. Возможной гранью может быть плоскость, проходящая через два действительных или возможных ребра кристалла. Так, возможной гранью кубического кристалла ( рис. 56, в) будет грань ABDC, проходящая через действительные ребра АВ и CD. Эта грань также будет атомной плоскостью ( рис. 56, г) и поэтому на других кристаллах может проявиться в виде реальной грани. Точно так же, если возьмем две реальные грани, которые на данном кристаллическом многограннике не пересекаются, то линия, параллельная линии их пересечения, будет возможным ребром кристалла.
Свойства, в отношении которых данный кристалл является изотропным или анизотропным, зависят от строения кристалла. Однако все монокристаллы анизотропны, хотя бы в отношении отдельных своих свойств. Это можно объяснить тем, что поликристаллы состоят из множества монокристаллов, ориентированных в пространстве совершенно хаотически.
Кроме того, если для данного кристалла точно известны расстояния между отражающими плоскостями, то это соотношение можно использовать для определения длины волны рентгеновского излучения.
Можно думать, что для данного кристалла существует определенная область температур 7 к, выше которой равновесие достигается столь быстро, что измерение электропроводности происходит в равновесных условиях. Ниже этих температур, наоборот, достижение равновесия протекает настолько медленно, что на опыте приходится иметь дело с замороженным состоянием, замороженным при той концентрации свободных ионов или пустых узлов, которая существовала при температуре Тк. В таком случае электропроводность при высоких температурах ( выше Тк) будет определяться как концентрацией ионов, так и их подвижностью, свойственной температуре измерения, тогда как при температурах ниже Тк концентрация ионов и пустых узлов, независимо от температуры измерения, будет соответствовать всегда температуре 7 к, и только подвижность задается температурой образца.
Можно думать, что для данного кристалла существует определенная область температур, выше которой равновесие достигается столь быстро, что измерение электропроводности происходит в равновесных условиях. Ниже этих температур, наоборот, достижение равновесия протекает настолько медленно, что на опыте приходится иметь дело с замороженным состоянием, замороженным при той концентрации свободных ионов или пустых узлов, которая существовала при высокой температуре 7V В таком случае электропроводность при высоких температурах ( выше Гк) будет определяться как концентрацией ионов, так и их подвижностью, свойственной температуре измерения, тогда как при температурах ниже Т ( концентрация ионов и пустых узлов, независимо от температуры измерения, будет соответствовать всегда температуре Тк, и только подвижность задается температурой образца.
Поскольку цвет является индивидуальной характеристикой данного кристалла и интенсивность окраски связана с количеством и характером распределения основных примесей в этом кристалле, по цвету можно судить качественно об условиях ( или изменениях этих условий) синтеза в локальном участке реакционной зоны, а именно в месте образования данного кристалла. Так, однородная окраска кристаллов СА первой группы свидетельствует о том, что эти кристаллы росли в условиях небольшого пересыщения вблизи линии равновесия графит - алмаз при умеренных значениях рТ - параметров.
К Вопросу 8.| К Вопросу 9.
Какие факторы определяют, будет ли данный кристалл растворяться в воде.
О совокупности всех таких преобразовавий для данного кристалла мы будем говорить, как о его группе симметрии. Мы будем говорить, что один кристалл обладает более высокой симметрией, чем другой, если группа симметрии второго является подгруппой группы симметрии первого.
Комбинированные формы кристаллов.| Иллюстрация закона о постоянстве углов между однотипными парами граней данного кристалла. Отсюда следует закон Бравэ: для данного кристалла наиболее вероятно образование граней, отвечающих плоским сеткам с наибольшей ретикулярной плотностью. Следовательно, кристаллы должны при благоприятных условиях ограняться гранями с малыми индексами Миллера.
Проведем затем симметричное преобразование, свойственное данному кристаллу. Никакое преобразование симметрии не может изменить свойства кристалла.
В частности, совокупность элементов симметрии класса данного кристалла отличается, вообще говоря, от его системы. Очевидно, что присоединение к решетке Бравэ новых узлов может привести только к исчезновению некоторых из осей или плоскостей симметрии, но не к появлению новых.
Ширина такой кривой характеризует угловую область отражения данного кристалла, а площадь под кривой пропорциональна интегральному отражению от кристалла.
В соответствии с элементами симметрии пространственной группы данного кристалла общее выражение для структурной амплитуды может быть модифицировано таким образом, что суммирование ( 13) ведется только по симметрически независимым атомам элементарной ячейки. При этом вместо экспоненциальной функции в итоговые формулы входят в определенных комбинациях тригонометрические функции. Эти формулы для всех пространственных групп приводятся в Интернациональных таблицах и других справочниках.
Несимметричная ТТЛ-схема разрядного управления накопителем на ТОЭ-ЭП с эмиттерными связями, в котором для записи и считывания используются разные разрядные шины. ВК, и если обращения к ЭП данного кристалла ( О на входе ВК) нет, то транзистор Та заперт и схемы разрядного управления рассеивают минимальную мощность. Транзистор Т9 при этом насыщен, потенциалы на разрядных шинах равны между собой Up 3 ii, i / p сч. ЭП непрерывно потреб-ляют энергию от источника питания, информация сохраняется в накопителе сколь угодно долго.
Первое распределение означает статистику по отражениям от данного кристалла: оно отвечает распределению, получаемому экспериментально; второе, удобное при теоретическом рассмотрении вопроса, представляет собой статистику значений F ( hkl) для данного отражения и всех возможных кристаллических структур. В принципе эти распределения различны.
В частности, совокупность элементов симметрии класса данного кристалла отличается, вообще говоря, от его системы. Очевидно, что присоединение к решетке Бравэ новых узлов может привести только к исчезновению некоторых из осей или плоскостей симметрии, но не к появлению новых.
Это уравнение однозначно устанавливает значение Де для любого данного кристалла. С другой стороны, уравнение ( 24) показывает, что в общем значение р е ( отнесенное к изолированному электрону в бесконечности) неодинаково для разных по форме кристаллов одного и того же вещества.
Этот предел зависит от общей мощности рассеивания данным кристаллом и способа охлаждения.
Концентрации донорных или акцепторных уровней определяются в данном кристалле содержанием донорных или акцепторных примесей, которые были введены в кристалл при его выращивании или путем диф-фузик.

В зависимости от соотношения размеров частиц, образующих данный кристалл, различают два основных случая.
Плоскостью симметрии называется воображаемая плоскость, которая рассекает данный кристалл на две части, являющиеся зеркальным отражением один другого. В одном кристалле может быть несколько плоскостей симметрии.
Определенное расположение частиц в пространстве, обусловливающее структуру данного кристалла, называется пространствен ной кристаллической решеткой. Частицы в разных пространственных решетках расположены различно, но закономерность их расположения сохраняется во всех кристаллах. Наименьшая часть кристаллической решетки, отображающая форму всей кристаллической структуры данного тела, называется элементарной ячейкой.
Если Т Эд - это высокие температуры для данного кристалла, при Т 9Д - низкие.
Кристаллические системы. Определенное расположение частиц в пространстве, обусловливающее структуру данного кристалла, называют пространственной кристаллической решеткой. Частицы в разных пространственных решетках расположены различно, но закономерность их расположения сохраняется во всех кристаллах.
Как показали указанные выше исследования, частицы, образующие данный кристалл ( атомы, ионы или молекулы), располагаются в нем закономерно. Характер этой закономерности для кристаллов различного вида может быть разным, но для данного вида кристаллов он всегда одинаков.
Как показали указанные выше исследования, частицы, образующие данный кристалл ( атомы, ионы или молекулы), располагаются в нем тем или иным закономерным образом. Характер этрй закономерности для кристаллов различного вида может быть разным, но для данного вида кристаллов он всегда одинаков.
Если число состояний, связанных с уровнями Тамма для данного кристалла, постоянно, то число состояний, вызываемых дефектами решетки и адсорбированными атомами, может меняться в зависимости от обработки поверхности. Между состояниями электрона на поверхности кристалла и в объеме возможен целый ряд различных взаимодействий, которые приводят к тому, что состояния на поверхности оказывают сильное влияние на протекание физических явлений в объеме полупроводника. Особенно сильно поверхностные состояния проявляются при работе полупроводниковых приборов.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11