Большая техническая энциклопедия
2 4 7
D L N
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
Я- ЯБ ЯВ ЯГ ЯД ЯЗ ЯЙ ЯК ЯЛ ЯМ ЯН ЯП ЯР ЯС ЯУ ЯЧ ЯЩ

Явление - накопление

 
Явления накопления и снижения количества усвояемых форм наблюдаются также и в отношении фосфора и калия.
Это явление накопления или уменьшения того или иного вещества в поверхностном слое называется адсорбцией. Адсорбция, как следует из изложенного, вызывается теми же причинами, которые обусловливают стремление капли жидкости приобрести сферическую форму: это самопроизвольный процесс, являющийся термодинамической необходимостью.
Ползучестью называют явление накопления в материале деформации во времени при действии постоянной нагрузки в определенном для каждого материала диапазоне температур испытания. При нагру-жении элемента конструкции деформация его возрастает от нуля до некоторой величины. В зависимости от уровня приложенного напряжения деформация, возникающая при нагружении, может быть упругой или у пру го-пластической. Деформация элемента возрастает со временем. Результаты экспериментального измерения деформации ползучести обычно представляют в виде зависимости деформации от времени нагружения при постоянных напряжениях и температуре.
Адсорбцией называют явление накопления одного вещества на поверхности другого. Накопление же его внутри другого вещества называют абсорбцией. Вещество, которое адсорбируется, называется адсорбтивом; вещество, на поверхности которого происходит адсорбция, - адсорбентом.
Адсорбцией называют явление накопления одного вещества на поверхности другого. Накопление же его внутри другого вещества называют абсорбцией. Вещество, которое адсорбируется, называется адсорбтивом; вещество, на поверхности которого происходит адсорбция - адсорбентом.
Строение излома стали 12Х1МФ после разрушения в условиях ползучести при 500 С. ПЭМ. х 3000. Ползучестью называют явление накопления в материале деформации во времени при действии постоянной нагрузки в определенном для каждого материала диапазоне температур испытания. В конструкционных материалах, таких как низкоуглеродистая сталь, алюминиевые, титановые сплавы, проявление ползучести наблюдается при повышенных температурах. Эти весьма пластичные материалы ( б5 25 %) при кратковременных испытаниях, в условиях ползучести, продолжающейся несколько тысяч часов, могут разрушаться при удлинении всего в несколько процентов.
Адсорбцией обычно называют явление накопления одного вещества на поверхности другого. Накопление же его внутри другого вещества называют абсорбцией. Вещество, которое адсорбируется, называется адсорбтивом, вещество, на поверхности которого происходит адсорбция, - адсорбентом.
Схема получения видеосигнала от фотоэлемента. В случае использования явления накопления энергии схема устройства имеет не один фотоэлемент, а столько, на сколько элементов разлагается передаваемое изображение или больше.
Кроме того, этот слой устраняет явления накопления зарядов, причиной которых также могут быть вторичные электроны. Эти явления могут изменять структуру электрического поля и, таким образом, существенно ухудшать фокусировку. Наконец, алюминиевый слой препятствует внедрению в люминофор ионов, которые могут образовываться в трубке и уменьшать яркость экрана ( ионное пятно), и защищает люминофор от загрязнений парами веществ при нанесении катода.
Кроме того, следует отметить, что явление накопления дырок в переходе эмиттер-база дает эффективное выпрямление, во всяком случае, на частотах, значительно более высоких, чем / аь.
Как элемент схемы замещения реальной цепи М позволяет при расчете учесть явление взаимоиндукции и явление накопления энергии в магнитном поле магнитносвязанных катушек.
Как элемент схемы замещения реальной цепи М позволяет в расчетном смысле учесть явление взаимоиндукции и явление накопления энергии в магнитном поле магнитносвязанных катушек.
Схема, поясняющая принцип действия параметрического диода. а - простейший одноконтурный усилитель. б - форма напряжения на контуре Uт и изменение параметрической емкости во времени.
Поэтому ПД, так же как стабилитроны, работают при обратных смещениях и, следовательно, явление накопления и рассасывания носителей не ограничивает их частотных свойств. Поскольку критическая частота барьерной емкости составляет 1012 щ ( 0 3 мм), то па.
Теоретические основы процесса механоактивации твердой фазы мы связываем, в первую очередь, с исследованием и математическим описанием явления накопления и релаксации энергии твердым телом при наложении на него механического воздействия с разной скоростью деформации, а, во вторых, с изменением физико-химико-механических свойств твердых тел при мощном механическом воздействии на них.
Ее невежество и полное игнорирование фактов 77 находит себе достойную параллель в лице экономистов, которые истолковывают указанные сейчас явления накопления таким образом, будто в одном случае имеется слишком мало, а в другом слишком много наемных рабочих.
Ее невежество и полное игнорирование фактов 7 находит себе достойную параллель в лице экономистов, которые ИСТОЛКОВЕЛВЭЮТ указанные сейчас явления накопления таким образом, будто в одном случае имеется слишком мало, а в другом слишком много наемных рабочих.
Основным преимуществом диодов Шоттки по сравнению с диодами с р-п переходом является тот факт, что у них отсутствует инжекция неосновных носителей при прямом смещении, а значит, и явления накопления и рассасывания этих носителей. Соответственно инерционность диодов Шоттки обусловлена только барьерной емкостью контакта и может быть сделана весьма малой путем уменьшения размеров структуры. Типичный диапазон рабочих частот составляет 3 - 15 ГГц, а времена переключения доходят до 0 1 не и менее.
Я - считаю, что все эти явления можно объяснить изменениями пристеночного слоя, имеющего особую структуру на протяжении порядка 0 01 см. И в явлениях кристаллизации, и в явлениях протекания жидкости при последовательной перекристаллизации ( как это было обнаружено на примере с салолом) наблюдается явление накопления эффекта, и время протекания / жидкости возрастает.
Иначе говоря, если энергия при переходе на более высокий уровень экологической пирамиды десятикратно теряется, то накопление ряда веществ, в том числе токсичных и радиоактивных, примерно в такой же пропорции увеличивается, что впервые было обнаружено в 50 - х годах на одном из заводов комиссией по атомной энергии в штате Вашингтон. Явление биотического накопления нагляднее всего демонстрируют устойчивые радионуклиды и пестициды. В водных биоценозах накопление многих токсичных веществ, в том числе хлорорга-нических пестицидов, коррелируется с массой жиров ( липи-дов), т.е. явно имеет энергетическую подоснову.
В граничных условиях (3.2) критический уровень повреждений i принят постоянным и равным единице. Между тем многие явления накопления повреждений характерны тем, что критический уровень повреждений зависит от значения нагрузки в момент достижения предельного состояния.
Емкостный элемент - это идеализированный схемный элемент, позволяющий учесть протекание токов смещения и явление накопления энергии в электрическом поле реальных элементов электрической цепи.
Рассматриваемой группе схем ( рис. 2 - 19, а - е) свойственно явление накопления энергии в элементах коммутирующих цепей, приводящее к расширению предельных циклов перезаряда конденсатора с ростом тока нагрузки преобразователя. Поэтому расчет токов и напряжений во всех приборах ШИП следует выполнять для режима максимальной возможной нагрузки преобразователя. Как и для схем с простой параллельной коммутацией, токи в полупроводниковых приборах удобно выразить через ток нагрузки и ток заряда коммутирующего конденсатора.
Коэффициент пропорциональности L между if и г называют индуктивностью. Индуктивность как элемент схемы замещения реальной цепи дает возможность учитывать при расчете явление самоиндукции и явление накопления энергии в магнитном поле катушки.
Коэффициент пропорциональности L между ф и i называют собственной индуктивностью контура, или, проще, индуктивностью. Индуктивность как элемент схемы замещения реальной цепи дает возможность учитывать в расчетном смысле явление самоиндукции и явление накопления энергии в магнитном поле катушки.
Так называемая Currency School [ Денежная школа ] делает из этого тот вывод, что при высоких ценах в обращении находится слишком много, а при низких - слишком мало денег. Ее невежество и полное игнорирование фактов 7Т) находит себе достойную параллель в лице экономистов, которые истолковывают указанные сейчас явления накопления таким образом, будто в одном случае имеется слишком мало, а в другом слишком много наемных рабочих.
Точки плавления некоторых конусов Зегера. Измеряется в частности количество теплоты, которое поглощается или выделяется 1) при переходе с одного тела ( проводник тепла) на другое, а) вследствие изменения температуры от до tz и ( 3) изменения агрегатного состояния; 2) при химических и химико-физических процессах, особенно при сгорании; 3) при электрических процессах. При теплоте особенно большое значение имеет накопление, поэтому при всех опытах, в которых влияние теплоты играет значительную роль, принимать во внимание явление накопления.

Атомы этих элементов в результате восходящей, а другие - в результате реактивной диффузии скапливаются в участках с искаженной или перестроенной решеткой. Очагами образования сегрегации инородных атомов в матрице служат различного рода дефекты кристаллического строения. Явление накопления атомов некоторых элементов на дефектах решетки неизбежно с точки зрения законов термодинамики. Примесные атомы, внедряясь в участки с искаженной решеткой, снижают ее упругую энергию, а если это граничный участок, то снижают также еще и энергию границ. Таким образом, процесс образования сегрегации примесных атомов на дефектах решетки является энергетически выгодным. Поэтому большие растворенные атомы стремятся занять места в растянутой решетке, а малые - в сжатой. В частности, атомы азота и углерода всегда стремятся занять места в сжатых участках кристаллической решетки. В участках же, где в результате расщепления дислокаций произошла перестройка решетки и возникли дефекты упаковки, причиной образования сегрегации инородных атомов служит изменение химического потенциала этих участков. Поскольку такая перестройка приводит в сталях типа 18Cr - 10Ni к возникновению новой, гексогональной структуры, то изменение химического потенциала является весьма существенным. Сегрегации, возникшие в результате химического взаимодействия, состоят из крупных примесных атомов, растворенных по типу замещения, а также из атомов внедрения в искаженной части кристаллической решетки.
Минимальная величина скачка трещины ограничена параметрами кристаллической решетки. Она не может быть меньше расстояния между двумя соседними атомами. Меньшие величины осредняемо-го прироста трещины за некоторое число циклов нагружения характеризуют явление накопления повреждения материала за несколько циклов, прежде чем происходит дискретное подрастание трещины. Чем больше циклов затрачивается на накопление повреждений в материале перед скачком трещины, тем больше расхождение регистрируемого в опыте среднего прироста трещины за цикл нагружения с реальным.
Действие высоких концентраций паров метанола сопровождается резким раздражением глаз и дыхательных путей. Могут наблюдаться случаи обморока с последующей головной болью, тошнотой, опьянением и ослаблением зрения. При длительном действии малых концентраций паров метанола ( в течение недель, месяцев) наблюдается явление накопления действия яда, отравление развивается постепенно, выражаясь в раздражении глаз и верхних дыхательных путей, головных болях, звоне в ушах, дрожании рук, невритах, расстройствах зрения и болях в правом подреберье.
Употребляя математическое выражение, величина накоцления есть независимая переменная вели-чина заработной платы - зависимая, а не обратно. ТакймПке образом, когда промышленность проходит в своем цикле фазу кризиса, общее понижение товарных цен выражается как повышение относительной стоимости денег, а когда она проходит фазу процветания, общее повышение товарных цен получает такое выражение, как будто происходит относительное понижение стоимости денег. Так называемая Currency School [ Количественная школа ] делает из этого тот вывод, что при высоких ценах в обращении находится слишком мало, а при низких - слишком много денег. Ее невежество и полное забвение фактов77 находит себе достойную параллель в экономистах, которые истолковывают указанные сейчас явления накопления таким образом, будто в одном случае имеется слишком мало, а в другом слишком много наемных рабочих.
В основном переходные напряжения в схеме возникают при таком процессе, как переключение. Очень часто потенциальным источником возможных перенапряжений является магнитная энергия l / 2LI2, накопленная в элементе схемы, обладающем индуктивностью. Эта энергия освобождается сразу же при включении и старается быстро довести ток / до нулевого значения. Быстрое выключение УПВ может привести к возникновению переходных напряжений, значительно превышающих нормальное, когда режим коммутации осложняется явлениями накопления дырок, как это было показано на фиг. Максимальные переходные напряжения появляются главным образом в схемах, работающих без нагрузки, особенно при отсутствии цепи с низким импедансом для высокочастотных компонент переходного процесса. Это происходит в том случае, если УПВ работают на индуктивную нагрузку.
Диодный переключа. Быстродействие диодного ключа определяется процессами перезарядки паразитных емкостей схемы и переключения диодов. Малые перепады напряжения на элементах схемы и низкоомные нагрузки обеспечивают быструю перезарядку паразитных емкостей. Высокую скорость переключения имеют современные импульсные пленарные диоды с тонкой базой и диоды Шоттки. Примером диодов с тонкой базой является диод КД512А, имеющий время восстановления обратного сопротивления 1 не. В диодах Шоттки отсутствует явление накопления и рассасывания заряда.
Начиная с сечения xlt при величине зазора / ix скорость слоев материала центральной зоны превышает линейные скорости валков и в наименьшем сечении достигает максимального значения. При введении фрикции характер сечения сохраняется, однако линии тока смещаются в сторону тихоходного валка. При этом в сечении хг эпюра скоростей будет иметь форму трапеции, боковые стенки которой соответствуют линейным скоростям валков. В остальных сечениях эпюры скоростей также несимметричны. Существование поступательного и встречного течения материала объясняется наблюдаемым на практике явлением накопления запаса. Наличие замкнутых траекторий и отсутствие осевых перемещений слоев перерабатываемых материалов существенно снижает смесительный эффект вальцов.
Необходимо отметить, что при большом входном управляющем токе ( рис. 12.45 г), выходной ток в течение значительного времени по окончанию входного импульса остается по своей величине таким же, как и в момент насыщения. Это явление объясняется накоплением неосновных носителей в германиевом кристалле. Низкое коллекторное напряжение во время состояния насыщения придает особое значение эффекту накопления. В этих условиях требуется относительно большое время для уничтожения запасов неосновных носителей в кристаллическом триоде при слабом электрическом поле в германиевом кристалле. Количество неосновных носителей, накопленных в германии, есть функция величины входного тока, а также времени, в течение которого кристаллический триод находится в области насыщения. Явление накопления неосновных носителей, которое определяет нижний предел времени, необходимого для возвращения кристаллического триода из состояния насыщения в состояние отсечки, и которое также предъявляет более строгие требования к запуску, имеет очень важное значение для быстродействующих импульсных схем на кристаллических триодах.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11