Большая техническая энциклопедия
0 1 3 5 8
D N
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
Н- НА НЕ НИ НО НР НУ

Небольшой монокристалл

 
Небольшие монокристаллы ( длина 5 мм, диаметр - 2 мм) укрепляются на вершине охлаждаемого пальца гелиевого сосуда Дьюара, снабженного необходимыми окнами.
Небольшие монокристаллы этих фосфидов получаются при пересублимации поликристаллов.
Небольшие монокристаллы двуокиси олова получены газотранспортной реакцией с водяным паром.
Небольшие монокристаллы карбида кремния высокой чистоты получаются при осаждении из паровой фазы в результате реакций термической диссоциации и восстановления. Так, смесь бензола и силана при пиролитическом разложении на раскаленной угольной нити образует монокристаллы SiC. Хорошо идет пиролиз смеси тетрахлорида кремния и толуола при соотношении 1: 2 на нагретой до 2000 С графитовой нити. Эта же смесь может служить источником получения карбида кремния при восстановлении водородом. SiC также образуется при термическом разложении некоторых соединений, содержащих одновременно углерод и кремний. При пиролизе соединений типа CH3SiCl3 ( метилтрихлорсилан) при 1500 С в токе водорода образуются кристаллы карбида кремния вюрцитной формы.
Были также выращены [105] небольшие монокристаллы высокого качества. Показано, что каждый из двух типов триацетилцеллю - - лозы можно получить путем набухания целлюлозы, ацетилирован-ной в гетерогенной среде ( будь то целлюлоза рами, мерсеризованная целлюлоза рами или волокно фортизан), и что можно превратить триацетат I в триацетат II обработкой перегретым паром. Систематическое отсутствие определенных рефлексов указывает, что возможной пространственной группой симметрии является группа P22i2j, однако анализ интенсивностей рентгеновских рефлексов и стереохимически.
Этот метод позволяет выращивать небольшие монокристаллы простых и сложных веществ из растворов при скороетях, приближающихся к скоростям выращивания кристаллов из чистых расплавов, без концентрационного переохлаждения.
Недавно сообщалось [9] о получении небольших монокристаллов СаО2 - 8Н2О путем диффузии газообразного аммиака в раствор азотнокислого кальция, содержащий перекись водорода.
Свойства некоторых алмазоподобных. Часто для создания полупроводниковых приборов используются небольшие монокристаллы ( 1 - - 2 мм), к-рые оказалось возможным получать чисто химич. Один из методов - кристаллизация из газовой фазы, получивший название метода химич.
Если маленькие пластинки, состоящие из небольших монокристаллов, подвесить в жидкости, например в жидком желатине, и приложить для их ориентации сильное магнитное поле, то при затвердевании жидкости получается столбчатая структура с плоскостью базиса, параллельной направлению магнитного поля.
При медленном охлаждении расплава в массе вещества образуются небольшие монокристаллы, которые можно отделять для дальнейшего исследования. По-видимому, метод направленной кристаллизации, а также зонная перекристаллизация при градиенте температур здесь вполне применимы для получения достаточно крупных монокристаллов Ga. Метод химических транспортных реакций [42] для GaJ3es должен быть результативным.
При медленном охлаждении расплава в массе вещества образуются небольшие монокристаллы, которые можно отделять для дальнейшего исследования. По-видимому, метод направленной кристаллизации, а также зонная перекристаллизация при градиенте температур здесь вполне применимы для получения достаточно крупных монокристаллов Ga. Метод химических транспортных реакций [42] для Оа 8ез должен быть результативным.
Большинство твердых веществ является поликристаллическими телами, состоящими из массы небольших монокристаллов - однородных образований, ограниченных плоскими гранями.
Если Ga2S3 расплавить, то при медленном охлаждении в массе вещества образуются отдельные небольшие монокристаллы.
Микроскоп в комбинации с поляризатором является очень мощным инструментом для измерений спектров тонких нитей и небольших монокристаллов. Это не очень удобно, так как пластинки из хлористого серебра быстро темнеют вследствие фотодеструкции. Такой поляризатор равноценен или даже несколько лучше, чем общепринятый, так как в этом случае легко подобрать небольшие прозрачные пластинки из хлористого серебра.

В расплавленный германий, имеющий температуру несколько выше температуры плавления, опускают закрепленную на стержне затравку в виде небольшого монокристалла германия, который затем с определенной скоростью вытягивают из расплава с помощью подъемного механизма. При вытягивании затравки из расплава металл затвердевает с ориентацией затравочного кристалла. Затравочный кристалл устанавливают так, чтобы одна из его плоскостей ( 111, ПО или 100) располагалась параллельно поверхности расплава. Для успешного ведения процесса необходимо обеспечить отвод примесей от фронта кристаллизации. С этой целью перемешивают расплав вращением тигля, а также вытягиваемого слитка. Вращение тигля, кроме того, обеспечивает равномерный его нагрев, что предотвращает местные перегревы расплавленного металла.
Обычные измерения магнитной восприимчивости для порошкообразных образцов позволяют найти лишь значение gcp и не дают никаких сведений об отдельных значениях gx, g gг или g -, и gj, тогда как при помощи сравнительно простых измерений спектра ЭПР для небольшого монокристалла можно получить подробные сведения о магнитной анизотропии в кристалле. В принципе осуществимо и в некоторых случаях было выполнено измерение магнитной восприимчивости в различных направлениях для крупных монокристаллов, однако такой эксперимент весьма сложен, а точность его невысока.
Для получения тугоплавких металлов особой чистоты в небольших количествах применяют бестигельную зонную вакуумную плавку с помощью электроннолучевого или индукционного нагрева. Полученные при этом небольшие монокристаллы ниобия и тантала обладают большей пластичностью, чем поликристаллические слитки.
В основу всех известных в настоящее время экспериментальных методов положен закон Брэгга. В методе вращающегося кристалла небольшой монокристалл с помощью соответствующего устройства для его вращения устанавливают на пути монохроматического пучка рентгеновских лучей. Вокруг кристалла укрепляется фотопленка, ее располагают в виде цилиндра относительно оси вращения. Всякий раз, когда в процессе вращения кристалла выполняется условие Брэгга, на пленке появляется линия. И для определения параметра решетки используют угол между направлением рентгеновского пучка и дифракционной линией.
При проведении структурного анализа сначала производится определение сингонии, затем лауевского класса симметрии, элементарной ячейки, а также возможной пространственной группы, что производится по-разному, в зависимости от качества исследуемого препарата. При наличии хотя бы небольших монокристаллов и возможности, таким образом, получить рентгенограмму вращения удается непосредственно установить вид симметрии, возможную пространственную группу и элементарную ячейку. Возможные 11 лауевских классов симметрии отвечают тем 11 видам симметрии из 32, которые обладают центром инверсии и в таблице 10 отмечены звездочкой.
Кроме того, для получения небольших монокристаллов используют сублимацию поликристаллов и метод транспортных реакций. Например, методом газотранспорта с иодом в качестве транспортера были получены октаэдрические кристаллы In2S3 размером до 5 мм.
При использовании монохроматического рентгеновского луча применяют такие методы, как рентгенографирование в расходящемся луче, когда точечным источником монохроматического излучения освещают монокристалл, или метод вращения и колебания монокристалла. В последнем случае для получения рентгенограммы вращения небольшой монокристалл освещается параллельным монохроматическим лучом, а кристалл при этом вращается вокруг оси, перпендикулярной к первичному пучку. Измерив интегральную интенсивность отражений и определив набор структурных амплитуд, можно расшифровать атомную структуру кристалла.
Схема вытягивания монокристалла из расплава. Важнейшим практическим применением нормальной направленной кристаллизации является производство монокристаллов. В этом методе затравка кристаллического вещества в виде небольшого монокристалла вносится в расплав сверху. На границе между затравкой и расплавом начинает протекать процесс кристаллизации, вследствие чего размер кристалла-затравки увеличивается.
Результаты работы [4] прекрасно согласуются с данными работы [3], тогда как в работе [5] периоды решетки определены равными а 5 27 А, с 8 76 А. Кристаллическая структура Zr2Al3 установлена в работе [6] на небольшом монокристалле; она оказалась ромбической, а 9 601 0 002 А, Ъ 13 906 0 002 А, с 5 574 0 002 А. Близкие данные получены в работе [7], но с другой идентификацией осей: а 5 572 А, Ь 9 599 А, с 13 879 А.
Бесцветный кристаллический карбид кремния получается лабораторными способами. На раскаленной угольной нити путем реакции между парами бензола и силана можно получить небольшие монокристаллы карбида кремния.
В виде плотного слитка ОаР получают сплавлением Са с Р под давлением паров Р, в виде пористого слитка-действием РН3 на расплав Са. Монокристаллы выращивают методами зонной плавки или вытягиванием по Чохраль-скому из-под флюса В2О3 под давлением Аг, небольшие монокристаллы - из р-ров ОаР в расплаве Оа. Порошкообразный ОаР получают восстановлением ОаРО4 водородом или СО при 800 - 1000 С. Эпитаксиальные пленки ОаР наносят аналогично пленкам галлия арсенида.
При отсутствии точной информации об остаточных дефектах, которые могут присутствовать даже в монокристаллах почти идеального графита, отношение удельных сопротивлений ( / ра), измеренных в направлениях, перпендикулярном и параллельном оси а гексагональных сеток углеродных атомов, указывает лишь на предельные значения величины, ожидаемой для кристаллов без дефектов. Такие образцы отличаются хорошим параллельным расположением гексагональных сеток, однако и они в общем далеки от монокристаллов, и, кроме того, на дефектах решетки этих кристаллов может удерживаться незначительное количество водорода. Самая высокая величина этого отношения для небольших монокристаллов естественного графита [318] составляет точно так же около 104 ( ср.
Однако такая строго одинаковая магнитная ориентация всех атомов имеет место только в очень ограниченных областях металла, которые называются доменами. Размеры этих мельчайших магнитиков-доменов составляют примерно 0 01 - 0 1 мм, поэтому они доступны непосредственному наблюдению с помощью микроскопа. Если отшлифовать поверхность ферромагнитного материала и посыпать ее тонким магнитным порошком, то частицы порошка расположатся в основном по границам доменов, четко обозначив их контуры. Следует отметить, что домены-это вовсе не кристаллические зерна, а макроскопические участки объема ферромагнитного кристалла с однородной намагниченностью, и даже небольшой монокристалл железа с совершенно однородной кристаллической решеткой может содержать несколько доменов. Это объясняется тем, что разбиение на домены энергетически более выгодно, чем образование однодоменного кристалла.
Соединения Nb3Sn2 и Nb2Sn3, по-видимому, имеют постоянные межплоскостные расстояния в широком интервале температур спекания прессовок. Микрозондный анализ их не обнаруживает изменений в составе. Кристаллическую структуру фаз не определяли, однако из лауэграммы обратного отражения от небольшого монокристалла было определено, что Nb2Sn3 имеет гексагональную симметрию.

Карбид кремния ( S1C) - полупроводник, который не может быть отнесен ни к одному из рассмотренных выше классов. Свойства этих сплавов не слишком сильно отличаются от свойств компонентов; они представляют собой твердые растворы замещения. Во всех модификациях атомы Si и С располагаются тетраэдрически. Карбид кремния очень твердое вещество, обычно используемое как абразив. Большая часть исследований его электрических свойств была выполнена либо на поликристаллических образцах, либо на небольших монокристаллах, выколотых из поликристаллических слитков. Внешний вид кристаллов карбида кремния весьма разнообразен; в зависимости от содержащихся в них примесей они имеют белую, желтую, зеленую или черную окраску. Легко представить себе, что и электропроводность их также меняется в широких пределах. Обнаружены образцы карбида кремния с проводимостью как п -, так и р-типа, темные кристаллы обычно имеют проводимость р-типа.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11