Большая техническая энциклопедия
1 2 3 4 6
C J W Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
ТА ТВ ТЕ ТИ ТО ТР ТУ ТЩ ТЯ

Тетраэдрическое расположение - атом

 
Тетраэдрическое расположение атомов в структуре алмаза и цинковой обманки требует среднего числа валентных электронов на атом, равного четырем. Отсюда, для сложных фаз этой группы, являющихся аналогами элементов четвертой группы, можно сформулировать следующее правило: состав их должен быть таким, чтобы среднее число валентных электронов на атом равнялось четырем. Это правило сразу же резко ограничивает число возможных сочетаний элементов различных групп, среди которых следует искать фазы-аналоги четвертой группы.
Тетраэдрическое расположение атомов в структуре алмаЬа и цинковой обманки требует среднего числа валентных электронов на атом, равного четырем. Отсюда, для сложных фаз этой группы, являющихся аналогами элементов четвертой группы, можно сформулировать следующее правило: состав их должен быть таким, чтобы среднее число валентных электронов на атом равнялось четырем. Это правило сразу же резко ограничивает число возможных сочетаний элементов различных групп, среди которых следует искать фазы-аналоги четвертой группы.
Тетраэдрическое расположение атомов типично для соединений углерода и его - аналогов.
Тетраэдрическое расположение атомов типично для соединений углерода и его аналогов.
Тетраэдрическое расположение атомов водорода вокруг атома бора приводит к структуре, в которой каждый атом лития окружен четырьмя атомами водорода, принадлежащими различным В - группировкам. Связи лития с атомами водорода имеют мостиковый характер, на что указывает тот факт, что борогидрид лития не изоморфен с другими солями лития, содержащими объемистые анионы.
Тетраэдрическое расположение атомов вокруг центрального атома не является единственной возможностью. Расположение, которое получается в каком-либо частном случае, зависит от исходных волновых функций, участвующих в образовании собственных функций связей. Таким образом, можно ожидать, что s - и / ьволновые функции данной оболочки объединяются при образовании собственной функции связи, a s - и р-волновые функции разных оболочзк не могут комбинироваться подобным образом. Волновая функция rf - элек-тронов может комбинироваться с s - и / 7-волновыми функциями ближайшей внешней оболочки, поскольку в этом случае соответствующие энергии различаются не очень сильно; например, 4s - и 4р - волновые функции могут комбинироваться с Зй. В этом случае d - волновая функция не пригодна для образования собственной функции связи. Хотя такое flf - состоя-ние может быть занято двумя электронами с противоположными спинами, уже один такой электрон достаточен для того, чтобы сделать его неприемлемым, поскольку собственная функция связи, преобразуясь дальше при взаимодействии со следующими реагирующими атомами, обычно оказывается занятой парой поделенных электронов. С другой стороны, могут быть некоторые случаи, в которых ( / - волновая функция используется в образовании связи, и тогда одна из собственных функций связи занята одним или парой неподеленных электронов. Такое положение, повидимо-му, встречается весьма редко.
Из таблицы видно, что тетраэдрическое расположение атомов приводит к удлинению связи по сравнению с квадратной конфигурацией лиган-дов. Это обстоятельство вызвано тем. Со и Ni реализована гибридизация типа dsp2, причем d - электроны поступают с 3-го слоя ( с большим Z), a s, p - электроны - с 4-го.
Однако и в этой структуре имеется тетраэдрическое расположение атомов, только тетраэдры образуют цепочки.
Однако и - в этой структуре имеется тетраэдрическое расположение атомов, только тетраэдры образуют цепочки.
Здесь и далее в тексте мы употребляем выражения тетраэдрическое расположение атомов в структуре, четверная координация, имея в виду такую координацию атомов, где каждый атом окружен атомами другого сорта. Эти термины в данном случае не охватывают структур, где вокруг атоМа расположены тетраэдрически не только атомы других сортов, но и атомы этого же элемента.
Здесь и далее в тексте мы употребляем выражения тетраэдрическое расположение атомов в структуре, четверная координация, имея в виду такую координацию атомов, где каждый атом окружен атомами другого сорта. Эти термины в данном случае не охватывают структур, где вокруг атом а расположены тетраэдрически не только атомы других сортов, но и атомы этого же элемента.
Изменение структуры в процессе плавления с переходом от тетраэдрического расположения атомов к октаэдрическому проявляется в повышенном значении энтропии плавления; так, у Ge она составляет 6 74 кал / град - моль, в то время как ее обычное значение колеблется в пределах 1 6 - 3 4 кал / град - моль.
Однако результаты проведенного рентгеноструктурпого анализа истолковываются в пользу тетраэдрического расположения атомов бора. В подобных случаях обычно прибегают к трактовке соединения с позиций теории молекулярных орбит ( VI § 3 доп. Предполагается, что связи В - 1 нормальные ковалентные, а остальные 8 электронов четырех атомов бора попарно занимают четыре связывающие молекулярные орбиты тетраэдра.
Из соединений серебра только йодистое серебро кристаллизуется в структурах с тетраэдрическим расположением атомов. При повышении температуры она переходит в гексагональную модификацию типа вюрчцита ( ( 3), а затем при 145.6 С в дефектную, плавящуюся при 552 С ( а) [ 48, стр. Получение йодида серебра описано в руководствах по препаративной химии.
Более наглядно участие элементов в простых и бинарных веществах с тетраэдрическим расположением атомов в структуре представлено в табл. 2, где изображена часть периодической системы с выпущенными четными рядами больших периодов, где полужирным шрифтом набраны элементы, дающие бинарные соединения с тетраэдрическим расположением атомов в структуре хотя бы с одним из равноотстоящих от IV группы элементов. В пунктирной рамке находятся элементы, дающие в аналогичных соединениях только структуру вюртцита.

Из соединении серебра только йодистое серебро кристаллизуется в структурах с тетраэдрическим расположением атомов. Низкотемпературная модификация йодида ( светло-желтый порошок) имеет структуру цинковой обманки ( Y) - При повышении температуры она переходит в гексагональную модификацию типа вюршита ( 3), а затем при 145.6 С в дефектную, плавящуюся при 552 С ( а) [ 48, стр. Получение йодида серебра описано в руководствах по препаративной химии.
Четырех-хлористый углерод выбран нами из-за того, что молекула ССЦ имеет тетраэдрическое расположение атомов С1 и температура плавления ССЦ твердого ( 250 14 К) и температура кипения ( 348 41 К) близки к соответствующим температурам для воды. Жидкая ртуть представляет собой типичную простую жидкость.
Они образуют ряд близких по структуре политипов, которые также характеризуются тетраэдрическим расположением атомов и, по существу, являются производными структурами цинковой обманки и вюртцита.
Кристаллическая структура с тетраэдри. В табл. 43 выделены символы элементов, дающих бинарные соединения с тетраэдрическим расположением атомов хотя бы с одним из равноудаленных от IV группы элементов.
Исследование кристаллической структуры три - ( амино) фосфин-борана методом рентгеноструктурного анализа [55] показало тетраэдрическое расположение атомов азота и бора вокруг атома фосфора при среднем межатомном расстоянии Р - N 1 653 А.
Взаимосвязь между температурами диссоциации ( при 101 кПа гало-генидов фос фонив и аммония. Строение молекул РдОб и РцОю показано на рис. 3.44. В структуре этих оксидов сохраняется тетраэдрическое расположение атомов фосфора, характерное для Рд, вероятно, поэтому белый фосфор очень легко окисляется. Структура Р4Ою аналогична структуре соединений Si 4 ( см. разд. О, и смежные тетраэдры смыкаются вершинами. Тетраэдрическое окружение атома фосфора другими атомами реализуется также в большинстве других кислородсодержащих соединений. В этом проявляется отличие фосфора от азота и сходство фосфора с кремнием.
Как это следует из экспериментов по определению электронной плотности, основой структуры веществ с тетраэдрическим расположением атомов является электронная решетка, образованная тетраэдрически расположенными мостиками, составленными из спаренных валентных электронов. Мостики более или менее размыты, в зависимости от атомного веса входящих в соединения элементов ( или от их главного квантового числа) и более или менее симметричны ( в отношении распределения электронной плотности вдоль мостика) в зависимости от различий в электросродстве единиц, заполняющих узлы решетки. Такими единицами являются остовы атомов, лишенные валентных электронов. Таким образом, электронная решетка есть результат взаимодействия атомов, остовы которых расположены в узлах решетки. Объемные свойства веществ данной кристал-лохимической группы определяются параметрами электронной решетки и остовов атомов. О деталях строения электронной решетки приходится судить главным образом на основании косвенных данных, точно известны только квантовые числа атомов. Что касается остовов атомов, то их можно характеризовать ионизационными потенциалами.
Взаимосвязь между температурами диссоциации ( при 101 кПа гало-генидов фосфония и аммония. Строение молекул Р 0ь и Р4Ощ показано на рис. 3.44. В структуре этих оксидов сохраняется тетраэдрическое расположение атомов фосфора, характерное для Р4, вероятно, поэтому белый фосфор очень легко окисляется. Структура Р4Ою аналогична структуре соединений Si 4 ( см. разд. О, и смежные тетраэдры смыкаются вершинами. Тетраэдрическое окружение атома фосфора другими атомами реализуется также в большинстве других кислородсодержащих соединений. В этом проявляется отличие фосфора от азота и сходство фосфора с кремнием.
Как это следует из экспериментов по определению электрон ной плотности, основой структуры веществ с тетраэдрическим расположением атомов является электронная решетка, образованная тетраэдрически расположенными мостиками, составленными из спаренных валентных электронов. Мостики более или менее размыты, в зависимости от атомного веса входящих в соединения элементов ( или от их главного квантового числа) и более или менее симметричны ( в отношении распределения электронной плотности вдоль мостика) в зависимости от различий в электросродстве единиц, заполняющих узлы решетки. Такими единицами являются остовы атомов, лишенные валентных электронов. Таким образом, электронная решетка есть результат взаимодействия атомов, остовы которых расположены в узлах решетки. Объемные свойства веществ данной кристал-лохимической группы определяются параметрами электронной решетки и остовов атомов. О деталях строения электронной решетки приходится судить главным образом на основании косвенных данных, точно известны только квантовые числа атомов. Что касается остовов атомов, то их можно характеризовать ионизационными потенциалами.
Несмотря на то, что неравенство было выведено на основании рассмотрения энергетических характеристик элементов, образующих соединения с тетраэдрическим расположением атомов в структуре и принадлежащих к первым трем группам периодической системы, элементы V, VI, VII групп, являющиеся вторыми компонентами этих соединений, также удовлетворяют этому неравенству. Поэтому условие образования соединений типа АВ со структурами вюртцита и сфалерита можно сформулировать в более общем виде, а именно: для образования соединения типа АВ с тетраэдрическим расположением атомов в структуре необходимо, чтобы удельная константа электросродства каждого из составляющих элементов была больше 7 5 эв.
Авторы, основываясь на своих данных, считают, что гидрид меди - кристаллическое соединение с координационным числом 4 и тетраэдрическим расположением атомов. На основе соображений относительно расположения атомов они заключают о преимущественно ковалентном характере связи атомов меди и водорода. Однако в структуре имеется большой недостаток электронов и приходится предполагать осцилляцию единственной пары электронов между четырьмя положениями.
Несмотря на недостаточность поляризационных представлений, они и в настоящее время привлекаются весьма широко для объяснения причин образования структур с тетраэдрическим расположением атомов в структуре. Большая часть такого рода объяснений исходит из того, что все элементы главных подгрупп периодической системы, дающие катионы с восем-надцатиэлектронными оболочками, образуют соединения со структурой сфалерита или вюртцита, так как эти катионы наиболее сильно поляризуют и сравнительно легко поляризуются сами.

Энтальпия диссоциации АЯ [ кроме собственно энергии отрыва одного атома водорода от молекулы СН4 включает также изменение энтальпии, обусловленное перестройкой тетраэдрического расположения атомов Н, связанных р3 - связя.
Константа электросродства - наиболее удобная, но не единственная энергетическая характеристика, на базе которой можно сформулировать правило образования бинарных соединений АВ с тетраэдрическим расположением атомов в структуре.
Более наглядно участие элементов в простых и бинарных веществах с тетраэдрическим расположением атомов в структуре представлено в табл. 2, где изображена часть периодической системы с выпущенными четными рядами больших периодов, где полужирным шрифтом набраны элементы, дающие бинарные соединения с тетраэдрическим расположением атомов в структуре хотя бы с одним из равноотстоящих от IV группы элементов. В пунктирной рамке находятся элементы, дающие в аналогичных соединениях только структуру вюртцита.
Кристаллическая решетка алмаза - атомная ( рис. 7 - 4, гл. Тетраэдрическое расположение атомов С в ней обусловливает твердость алмаза.
Кристаллическая решетка алмаза - атомная ( рис. V-5, стр. Тетраэдрическое расположение атомов С в ней ( рис. V-6) обусловливает твердость алмаза.
Варианты структуры молекулы АВ3.| Строение молекул. [ IMAGE ] Варианты строения молекулы АВ4. Первый тип встречается сравнительно редко. Более распространено тетраэдрическое расположение атомов. Оно типично для углерода ( см. стр.
Получены монокристаллы полупроводниковых веществ с тетраэдрическим расположением атомов в решетке. При этом в катионной и анионной подрешетках их находится шесть сортов, принадлежащих к различным группам периодической системы. Пока такие полупроводники не получили практического применения, но их удивительные рентгенограммы, не отличимые с первого взгляда от рентгенограмм германия, до сих пор вызывают восторг. В самом деле, как забавно усадить шесть атомов разной валентности на те же места в кристаллической решетке, где обычно сидят атомы одинаковые.
Алмаз и графит являются аллотропическими модификациями углерода и характеризуются в отличие от углеродистых тел неопределенного отроения явно кристаллическим строением. Алмаз имеет макрокристаллическое строение с правильным пространственным тетраэдрическим расположением атомов углерода, тогда как кристаллическое строение графита обнаруживается только лишь путем рентгенографического анализа и имеет плоскостной характер в виде правильных шестиугольников.
Для большинства кристаллов, у которых отношение RA / RO составляет от 0 2 до 0 4, характерно расположение анионов в углах тетраэдра. Поэтому Гольдшмндт пришел к заключению, что тетраэдрическое расположение атомов кислорода вокруг катиона А необходимо для стеклообразования. Его наблюдение было эмпирическим, и он не пытался объяснить, почему стеклообразование должно быть связано с этой особенностью структуры.
Предложенная Полком и др. [77] идеализированная модель структуры чистого аморфного кремния представляет собой случайную сетку атомов. Для аморфного кремния ( как и для кристаллического) характерно тетраэдрическое расположение атомов, однако размеры областей с упорядоченной структурой сравнимы с межатомными расстояниями. Исследуя аморфный кремний методом электронографии, Варна и др. [78] установили, что при насыщении его водородом радиальная функция распределения атомов не претерпевает значительных изменений. Лишь в случае рассмотрения пленок a - Si: Н, осаждаемых в тлеющем разряде, появляется дополнительный пик функции распределения, расположенный на расстоянии г 0 5 нм от атома, принятого за начало отсчета. Наличие этого пика, соответствующего значению угла между связями, равному 45, позволило сделать вывод о том, что пленки a - Si: Н, выращиваемые в тлеющем разряде, обладают более совершенным ближним порядком структуры, чем пленки аморфного кремния, создаваемые методом вакуумного испарения.
Последние не кристаллизуются в структурах с тетра-эдрической координацией. В этих структурах, как уже говорилось выше, имеется тетраэдрическое расположение атомов, но тетраэдры образуют цепочки.
Две полосы поглощения в ИК-спектре, отвечающие валентным колебаниям карбонильной группы, говорят о структуре с высокой симметрией, тогда как отсутствие полос валентных колебаний VMH или VMD в соответствующих областях показывает, что водороды могут быть мости-ковыми. Этот кластер является электронодефицитным соединением, наиболее вероятна структура с тетраэдрическим расположением атомов металла и с атомом водорода над каждой гранью, причем каждый атом рения связан с тремя концевыми карбонильными группами.
В кристобалитной модификации льда атомы кислорода занимают позиции атомов кремния, а атомы водорода находятся приблизительно на линиях, соединяющих соседние атомы кислорода, однако несколько ближе к одному из двух атомов О. Такие мостиковые водородные связи связывают молекулы воды между собой, стабилизируя тетраэдрическое расположение атомов О, несмотря на весьма рыхлый характер получающейся при этом структуры.
Строение диборана BsHe.
Число центров в электронодефицитных структурах, может быть и больше; возможны четырех -, пяти - и многоцентровые связи. Для структуры боранов характерен треугольник из атомов бора, мостики и тетраэдрическое расположение атомов бора.
Достаточно принять, что четыре заместителя не находятся в одной плоскости, тогда само собой получится тетраэдрическое расположение атомов в пространстве. Относительно причины, почему их изомерия до сих пор не обнаружена, можно строить разные предположения, но за исключением этого примера Чичибабин не расходится с учением классической стереохимии о предельных соединениях. Относительно стереохимии этиленовых соединений, наоборот, допущение наиболее общего случая расположения атомов в пространстве без ограничительных гипотез приводит к выводам, находящимся в коренном противоречии с выводами обычных сте-реохимических учений, опирающихся на представления об отдельных валентностях и их направлении в пространстве [ там же, стр.
Но, конечно, из соединений с дефицитом электронов лучше всего известны и наиболее изучены гидриды бора. Установлено, что структура самого простого гидрида - диборана В2Нв - содержит водородные мостики ( угол В - Н - В 82 5) с приблизительно тетраэдрическим расположением атомов водорода вокруг каждого атома бора ( ср.
Несмотря на то, что неравенство было выведено на основании рассмотрения энергетических характеристик элементов, образующих соединения с тетраэдрическим расположением атомов в структуре и принадлежащих к первым трем группам периодической системы, элементы V, VI, VII групп, являющиеся вторыми компонентами этих соединений, также удовлетворяют этому неравенству. Поэтому условие образования соединений типа АВ со структурами вюртцита и сфалерита можно сформулировать в более общем виде, а именно: для образования соединения типа АВ с тетраэдрическим расположением атомов в структуре необходимо, чтобы удельная константа электросродства каждого из составляющих элементов была больше 7 5 эв.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11