Большая техническая энциклопедия
0 1 3 4 9
D V
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ь Э Ю Я
ША ШВ ШЕ ШИ ШК ШЛ ШМ ШН ШО ШП ШР ШТ ШУ

Шот-тка

 
Шот-тки, Френкеля и антифренкелевские дефекты, отвечающие классической ионной модели.
Диоды арсенид-галлиевые эпитак-сиально-планарные с барьером Шот-тки. Предназначены для использования в импульсных схемах пико - и наносекундного диапазона.
Если вакансии образуются в структурах разрыхления ( по Шот-тки) или внедрения, их лучше обозначать стехиометрическим индексом г, например [ г. Это же относится к вакансиям в структурах деления.
В литературе такие диоды называют: диоды с барьером Шот-тки, диоды на горячих носителях, диоды на основных носителях.
Эквивалентные схемы диодов, используемых в качестве переключателей. Недостатками / м - я-диодов являются меньшее, чем у диодов Шот-тки, быстродействие и отсутствие усиления, имеющего место г. ри использовании ЛПД в качестве переключателей. Время переключения современных / j - i-п-диодов не превышает 0 5 не. Кроме того, ЛПД и диоды Ганна требуют большой мощности от схемы управления.
Различное влияние разных типов атомной разупорядо-ченности проявляется в том, что при разупорядоченности Шот-тки и Френкеля избыточному содержанию X при высоких рх, соответствует проводимость р-типа, а при антиструктурной раз-упорядоченности проводимость / г-типа. При низких давлениях рха недостатку X соответствует обратный тип проводимости: n - тип при разупорядоченности Шоттки и Френкеля и р-тип при антиструктурной разупорядоченности.
В правилах IUPAC 1970 г. подробно рассмотрены названия нестехиометрических кристаллов, приводятся правила для обозначения фаз переменного состава ( бертоллидов), вакансий и межузловых дефектов в кристаллах, включая дефекты по Шот-тки и дефекты по Френкелю, а также материалов с дефектами на поверхности и материалов, легированных примесями. Символ П употребляется для обозначения многих из этих систем.
Ряд исследований последних лет начинает рассеивать ото сложившееся мнение о перспективах использования МОС в электронике для получения пленок как путем создания па бале МОС и исследования конкретных приборов типа туннельных полупроводниковых диодов или диодов с барьером Шот-тки, так и путем исследования и обнаружения способов устранения вредных примесей с помощью регулирования химических и физических процессов распада МОС и осаждения пленок.
В середине 20 - х годов Френкель предположил, основываясь на изучении электролиза простых солей, что вакансии и внедренные атомы образуются в заметных количествах в твердых телах в результате термической флуктуации и имеют равновесную концентрацию, зависящую от температуры, подобно молекулам пара над жидкостью или твердым телом. Эта идея была развита Шот-тки и Вагнером, которые предложили модель дефектов для конкретных случаев и проверили ее экспериментально. К сожалению, эти экспериментальные методы неприменимы к металлам и сплавам, поэтому истинная природа термически активируемых в них дефектов оставалась предметом дискуссий в течение почти тридцати лет. В течение некоторого периода методика измерения самодиффузии и изменений, обусловленных радиационными повреждениями, достигла высокого уровня и дала возможность детально изучать природу дефектов в металлах, главным образом в благородных металлах.
Элементы ПЛМ. а - МОП-элемент. б-биполярный элемент. Входной буфер ПЛМ позволяет реализовать отрицание входных, а выходной буфер - выходных сигналов. Подматрица И построена на диодах Шот-тки, а подматрица ИЛИ - на эмиггерных транзисторах. Все связи в ПЛМ программируются путем пережигания нихромовых перемычек.
Диоды и транзисторы с переходами Шот-тки используются для повышения скорости переключения.
Подавляющее большинство элементов биполярных ИС памяти строится на приборах, функционально более сложных, чем традиционный транзистор. Это много-эмиттерные транзисторы, транзисторы с диодами Шот-тки, биполярные приборы, совмещающие в себе транзисторы, резисторы и диоды и выполняющие функции отдельных инверторов или нелинейных нагрузочных резисторов ( HP); наконец, приборы с совмещенной транзисторной ( р-п - р и п-р - п) структурой, к которым относятся тиристоры и инжекционные ключи. Их применение позволяет прежде всего сократить размеры элемента памяти ( ЭП) на кристалле. Однако функциональное усложнение активных компонентов биполярных схем влечет за собой усложнение их структуры и топологии и, следовательно, методов анализа и расчета приборов.
Простейшая структура состоит из двух слоев: п - п, р - р - высоколегированной подложки и рабочего слоя, в котором образуется ОПЗ. Такая структура применяется для изготовления выпрямительных диодов Шот-тки или слоев типа р-п, полученных методом диффузии или эпитаксии.

Для измерения теплоты смачивания пользуются калориметрами самых разнообразных конструкций. В лаборатории коллоидной химии ЛГУ применяют весьма простой прибор типа калориметра Шот-тки. В сосуд вставляется второй сосуд 6 с капилляром и шкалой / и боковым отростком 3 с краном и воронкой. Во внутреннем сосуде имеется вплавленная пробирка. Внутренний сосуд наполняется жидкостью с большим коэффициентом термического расширения ( толуол или хлороформ), а сверху водным раствором какого-нибудь красителя, для облегчения наблюдений по капиллярной шкале.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11