Большая техническая энциклопедия
0 1 3 4 9
D V
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ь Э Ю Я
ЧА ЧЕ ЧИ ЧЛ ЧО ЧР ЧТ ЧУ ЧЭ

Чэпмена

 
Чэпмена по теории диффузного слоя, а также работы Фрейнд-лиха, в которых дается понятие об электрокинетическом потенциале.
Чэпмена и Энскога в результате применения ряда эмпирических допущений.
Пограничный слой на плоской пластине. Чэпмена ( Chapman) и Рубесина ( Rubesin) [5], так как он содержит минимум ограничивающих предположений.
Чэпмена по теории диффузного слоя, а также работы Фрейнд-лиха, в которых дается понятие об электрокинетическом потенциале.
Чэпмена Корста совпадает с первым членом разложения, а по-к перепаду давления имеют тот же порядок величины, что и критический перепад давления в теории свободного взаимодействия.
Зависимость коэффициента диффузии азота ( см / сек от состава в системе азот - двуокись углерода при 28 С ( азот в мольных долях при различных давлениях.| Зависимость коэффициента диффузии азота от давления. Энско-га - Чэпмена, разработаной для молекулярных моделей с шаровой симметрией.
Зависимость Jfmjn от концентрации растворов. Гун - Чэпмена, на которой основано вычисление сил их взаимодействия, справедлива только для разбавленных растворов электролитов. В концентрированных растворах сила прилипания частиц может не зависеть от концентрации соли или даже падать с ее увеличением [8, 30], что пока не имеет общего объяснения.
Схематическое представление изменения потенциала вдоль электрического. Гуи и Чэпмена; в - Штерна.
Зависимость - fjjjjn от концентрации растворе. Гун - Чэпмена, на которой основано вычисление сил их взаимодействия, справедлива только для разбавленных растворов электролитов. В концентрированных растворах сила прилипания частиц может не зависеть от концентрации соли или даже падать с ее увеличением [8, 30], что пока не имеет общего объяснения.
Несостоятельность теории Гун - Чэпмена может быть показана и другим путем. Причина расхождения экспериментально и теоретически найденных значений емкости двойного электрического слоя заключается в том, что теория Гун - Чэпмена не принимает во внимание размера ионов, рассматривая их как точечные заряды, которые могут сколь угодно близко подойти к стенке, что и обусловливает более высокие значения расчетных величин.

Далее теория Гун - Чэпмена не объясняет различного действия разных по природе противоионов одной и той же валентности на двойной электрический слой. Согласно этой теории введение эквивалентного количества разных противоионов одинаковой валентности должно сжимать двойной электрический слой и понижать - потенциал в одинаковой степени. Однако опыт показывает, что это не так. Эффективность действия ионов одной и той же валентности на двойной электрический слой возрастает увеличением радиуса иона.
Далее теория Гун - Чэпмена не объясняет различного действия разных по природе противоионов одной и той же валентности на двойной электрический слой. Согласно этой теории введение эквивалентного количества разных противоионов одинаковой валентности должно сжимать двойной электрический слой и понижать - потенциал в одинаковой степени. Однако опыт показывает, что это не так. Эффективность действия ионов одной и той же валентности на двойной электрический слой возрастает с уве - - личением радиуса иона.
Несостоятельность теории Гун - Чэпмена может быть показана и другим путем. Причина расхождения экспериментально и теоретически найденных значений емкости двойного электрического слоя заключается в том, что теория Гун - Чэпмена не принимает во внимание размера ионов, рассматривая их как точечные заряды, которые могут сколь угодно близко подойти к стенке, что и Обусловливает более высокие значения расчетных величин.
Далее теория Гун - Чэпмена не объясняет различного действия разных по природе противоионов одной и той же валентности на двойной электрический слой. Согласно этой теории введение эквивалентного количества разных противоионов одинаковой валентности должно сжимать двойной электрический слой и понижать - потенциал в одинаковой степени. Однако опыт показывает, что это не так. Эффективность действия ионов одной и той же валентности на двойной электрический слой возрастает с уве - - личением радиуса иона.
Количественные рассуждения Гун и Чэпмена по своему характеру весьма близки к теории ионных атмосфер Дебая и Хюккеля. Самый простой случай - это случай, когда имеется диффузный слой у плоской поверхности.
Недостатком теории Гун - Чэпмена является то, что она не учитывает особые условия, возникающие непосредственно вблизи поверхности раздела на расстоянии порядка молекулярного диаметра, где концентрация зарядов определяется не только кулоновскимп, а прежде всего межмолекулярными силами. Величины последних уменьшаются с расстоянием гораздо быстрее и поэтому пренебрежение нмп на большом расстоянии от границы раздела вполне допустимо. В непосредственной же близости от границы раздела они обычно играют доминирующую роль.
Несостоятельность теории Гун - Чэпмена может быть показана и другим путем. Причина расхождения экспериментально и теоретически найденных значений емкости двойного электрического слоя заключается в том, что теория Гун - Чэпмена не принимает во внимание размера ионов, рассматривая их как точечные заряды, которые могут сколь угодно близко подойти к стенке, что и Обусловливает более высокие значения расчетных величин.
Это - уравнение Колмогорова - Чэпмена. Оно является аналогом уравнения (10.3) гл, XV, которое выполняется, когда временной параметр принимает только целые значения.
Другой недостаток теории Гун - Чэпмена заключается в том, что она не объясняет так называемого явления перезарядки - перемены знака электрокинетического потенциала при введении в систему электролита с многовалентным ионом, заряд которого противоположен по знаку заряду дисперсной фазы.
Наконец, теория Туи - Чэпмена, относительно хорошо прило-жимая в случае достаточно разбавленных коллоидных растворов, оказывается неприемлемой для более концентрированных.
Полученная выше формула Гун - Чэпмена ( 14) дает величину плотности зарядов на 1 см2, которую можно вычислить, если известна концентрация раствора и скачок потенциала в двойном слое.
Наконец, теория Гун - Чэпмена, относительно хорошо прило-жимая в случае достаточно разбавленных коллоидных растворов, оказывается неприемлемой для более концентрированных.
Другой недостаток теории Гун - Чэпмена заключается в том, что она не объясняет так называемого явления перезарядки - перемены знака электрокинетического потенциала при введении в систему электролита с многовалентным ионом, заряд которого противоположен по знаку заряду дисперсной фазы.
Наконец, теория Гун - Чэпмена, относительно хорошо прило-жимая в случае достаточно разбавленных коллоидных растворов, оказывается неприемлемой для более концентрированных.
Поэтому ошибочное представление Гун и Чэпмена о том, что заряды имеются и в слое А при приблизительно экспоненциальном увеличении их концентрации с приближением к границе раздела, приводит к очень значительному завышению теоретически вычисленного заряда двойного слоя. Наоборот, для толщипы диффузного слоя и для свойств, связанных с этой толщиной, теория Штерна не дает существенно новых по сравнению с теорией Гун - Чэпмена результатов.

Таким образом, теория Гун - Чэпмена хорошо объясняет падение - потенциала при увеличении концентрации противоиона и возрастании его валентности.
Модель двойного электрического слоя согласно теории Гун - Чэпмена. Таким образом, теория Гун и Чэпмена не дает правильных количественных расчетов величины емкости двойного электрического слоя.
Тем не менее теория Гун - Чэпмена явилась важным этапом в изучении электрохимии двойного слоя, так как она позволила установить количественную зависимость между распределением зарядов на границе раздела фаз и концентрацией ионов в растворе.
Таким образом, теория Гун - Чэпмена хорошо объясняет падение - потенциала при повышении концентрации и валентности электролита.
Тем не менее теория Гун - Чэпмена явилась важным этапом в изучении электрохимии двойного слоя, так как она позволила установить количественную зависимость между распределением зарядов на границе раздела фаз и концентрацией ионов в растворе.
Рассмотрим теперь количественную сторону теории Гун - Чэпмена.
Распределение потенциала V. Гельмгольца с моделью диффузионного слоя Гун - Чэпмена.
XV было показано, что уравнение Колмогорова - Чэпмена выполняется не для всех стохастических процессов. Действительно, прибавив только некоторые ограничения регулярности, мы выведем из ( 9 1) наши основные дифференциальные уравнения. Уравнение Колмогорова - Чэпмена имеет вероятностный смысл; однако мы не должны все время к этому возвращаться: если (9.1) уже дано, мы можем легко вывести дифференциальные уравнения, позволяющие определить вероятности Pin ( t), действуя чисто аналитическим способом.
Первый случай рассмотрен при обсуждении теорий Гун - Чэпмена и Штерна. Очевидно, по мере увеличения содержания в системе такого электролита толщина двойного электрического слоя стремится стать равной толщине адсорбционного слоя за счет сжатия диффузного слоя. В результате - потенциал понижается, пока не станет равным нулю, что будет отвечать так называемому изоэлектрическому состоянию системы.
Первый случай рассмотрен при обсуждении теорий Гуи - Чэпмена и Штерна. Очевидно, по мере увеличения содержания в системе такого электролита толщина двойного электрического слоя стремится стать равной толщине адсорбционного слоя за счет сжатия диффузного слоя. В результате - потенциал понижается, пока не станет равным нулю, что будет отвечать так называемому изоэлектрическому состоянию системы.
В теории восстановления на основе уравнения Колмогорова - Чэпмена решается задача о нахождении предельного распределения возраста на достаточно большом удалении от начального момента времени. Физический смысл этой задачи заключается в следующем. Осуществляется холодное резервирование с бесконечным резервом.
Гельмгольца, б - то же Гун - Чэпмена, в - модель Стерна, диффузионная составляющая отрицательна; г - то же, но диффузионная составляющая положительна.
Уравнение ( 9) носит название уравнения Колмогорова - Чэпмена ( ср.

Связь между зарядом и потенциалом описывается теорией Гун - Чэпмена.
Штерн в 1924 г. ввел в теорию Гун и Чэпмена две поправки - на ионный радиус и на адсорбцию, которые позволили в значительной степени преодолеть основные затруднения теории двойного электрического слоя.
Связь между зарядом и потенциалом описывается теорией Гун - Чэпмена.
Влияние индифферентного электролита на толщину двойного электрического слоя и электрокинетический потенциал ( количество электролита увеличивается от кривой / к кривой 4. Следует заметить, что в основе теории Гун - Чэпмена лежат те же физические представления, что и в основе известной теории сильных электролитов Дебая - Гюккеля, причем, кстати заметим, первая возникла раньше второй.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11