Большая техническая энциклопедия
2 7
A V W
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
ЗА ЗВ ЗД ЗЕ ЗИ ЗН ЗО ЗР ЗУ

Зависимость - крутизна

 
Зависимость крутизны от управляющего напряжения изображена на рис. 11.1 в виде наклонной прямой линии.
Управление крутизной характеристики. Зависимость крутизны от управляющего напряжения изображена на рис. 10.1 в виде наклонной прямой линии.
Зависимость крутизны от среднего значения напряжения на сетке называется характеристикой автоматической регулировки усиления ( АРУ) усилительной лампы. Желательно, чтобы эта характеристика у ламп, предназначенных для работы в каскадах, охваченных системой АРУ, не имела внезапных изменений формы кривой и чтобы она не резко приближалась к нулю в области отсечки.
Зависимости входной ( Спи и проходной ( С12п емкостей сдвоенного полевого транзистора типа КПС104 с управляющим р - n - переходом от напряжения на затворе.| Зависимость относительного изменения входной емкости МДП-транзистора типа КП301 от напряжения на. Зависимости крутизны характеристики от электрического режима могут быть получены в соответствии с определением этого параметра из проходных и выходных вольт-амперных характеристик.
Зависимость крутизны характеристики - от тока стока.
Зависимость крутизны температурного графика от расчетной наружной температуры дана в табл. 6, из которой видно, что результаты расчетов по предлагаемому методу дают меньшие значения угла наклона по сравнению с существующим методом спрямления графика.
Температурная нестабильность дозируемого расхода. Зависимости крутизны падения нагрузки а в функции диаметра на границе сходящегося и расходящегося колебательных процессов показаны на рис. 8 сплошными линиями. Увеличение коэффициента демпфирования клапана р позволяет отодвинуть границу расходящегося процесса.
Изучена зависимость крутизны и формы кривой течения от степени полимеризации эфира, растворителя и состава боковых групп.
К расчету передаточной функции усилителя с о. о. с. по току. Рассмотрим зависимость крутизны усилителя с последовательной о.
Относительно зависимости крутизны наклона вязкостно-температурной кривой углеводородов, характеризуемой, в частности, их индексом вязкости ( ИВ), от химической структуры их молекул также имеется многочисленная литература, что позволяет нам ограничиться кратким рассмотрением основных итоговых положений.
Формула (2.40) показывает также зависимость крутизны от добротности резонатора. С увеличением добротности крутизна уменьшается. Теоретически при Q - оо электронная перестройка частоты отсутствует. Под Q следует понимать на - груженную добротность, поэтому можно сделать вывод, что крутизна должна зависеть от проводимости нагрузки GH, подключаемой параллельно резонатору. Рост GH означает уменьшение Q и увеличение 5эпч - Следовательно, для увеличения крутизны необходимо уменьшать добротность, но последнее приводит к уменьшению выходной мощности. Поэтому приходится выбирать промежуточные значения добротности.

На рис. 17.1 приведена зависимость крутизны лампы от напряжения на сетке, на которую подается гетеродинное напряжение.
Упрощенная схема перемножителя с переменной крутизной. принципиальная ( а. Этот метод основан на зависимости крутизны биполярного транзистора от тока эмиттера.
В основу АРУ положена зависимость крутизны характеристики усилительной лампы от смещения на ее управляющей сетке. Для управления крутизной характеристики в схеме простой АРУ ( рис. 8.2 а) используется постоянная составляющая напряжения на нагрузке RH детектора сигнала. Это напряжение и является регулирующим.
Построение гоафика произведения крутизн ламп регулируемых каскадов. Для каждой регулируемой лампы строится зависимость крутизны от смещения на управляющей сетке.
Схема смесителя СВЧ на пентоде.| Схема преобразователя частоты СВЧ на. Применение такого автоматического смещения позволяет уменьшить зависимость крутизны преобразования Snp от амплитуды переменного гетеродинного напряжения на сетке смесительной лампы.
К определению статических параметров диода. Это выражение полезно при расчете диодов и для оценки зависимости крутизны от геометрических размеров электродов лампы. Крутизна диодов различных типов, обычно измеряемая в наиболее крутом участке характеристики, лежит в пределах от одного до нескольких десятков миллиампер на вольт.
К определению статических параметров диода. Это выражение полезно при расчете диодов и для оценки зависимости крутизны от геометрических размеров электродов лампы. Крутизна диодов различных типов, обычно измеряемая в наиболее крутом участке характеристики, лежит в пределах от одного до нескольких десятков мдшлиампер на вольт.
Периодическая кривая изменения крутизны характеристики лампы. Sml, являющейся амплитудой первой гармоники кривой, Которая выражает зависимость крутизны характеристики S еЦ времени при условии, что напряжение приходящих сигналов на входе отсутствует.
Эквивалентные схемы для усилителя мощности.
Если усилитель мощности работает в звуковом диапазоне частот, то зависимость крутизны характеристики SK транзистора от частоты можно не учитывать.
Температурные зависимости [ IMAGE ] ИЗ. Изобары реакции диссоци. Все эти реакции можно сравнить на одном графике, который ярко иллюстрирует зависимость крутизны кривых AF f ( T) от величины ASH. Несмотря на различные энергетические эффекты, все четыре реакции достигают значения Af н 0 примерно в одной и той же узкой области температур около 1000 К. Таким образом, все эти процессы оказываются легко воспроизводимыми и играют большую роль в практике производства генераторного я водяного газов.
В приложении 8.1 ( см. в конце книги) приведены необходимые данные для построения графиков зависимости крутизны характеристики от смещения на управляющей сетке для некоторых типов ламп.
Установлено, что модуляция насыщенного тока ионизации переменным напряжением прямоугольной формы исключает погрешность модуляции, связанной с зависимостью крутизны ВАХ от величины потока органического вещества. Последний в пламенно-ионизационных детекторах, как известно, остается постоянным при изменениях потока органического вещества более чем в 107 раз.
Схема триода с здешней нагрузкой.| Эквивалентная схема с генератором неизменной э. д. с. для 2 - 26. Это же с известным приближением справедливо и для реальных ламп, что подтверждается графиком на рис. 2 - 24, где дана зависимость крутизны от анодного тока при постоянном анодном напряжении.
Для входного напряжения UBK, соответствующего эмиттерному току, при котором кривая, найденная в части а) данной задачи, имеет максимум построить зависимость крутизны преобразования от напряжения местного гетеродина.
Появление вредных комбинационных составляющих можно объяснить, если согласно рис. 9 - 3 6 изменения напряжения гетеродина считать выходящими за пределы линейного участка характеристики, выражающей зависимость крутизны от напряжения на сетке лампы. В этом случае изменение крутизны характеристики лампы во времени не синусоидально.
Двухсеточный тиратрон с накаленным катодом.| Семейство характеристик плазматрона.| Плазматрон с управляющей сеткой. Изменением напряжения на этой сетке можно непрерывно изменять ток / г три крутизне порядка 100 Male и при токах в несколько сот миллиампер. Зависимость крутизны от частоты достаточно мала. До частоты 10 Мгц крутизна уменьшается не больше чем на 30 % по сравнению с ее статической величиной.
Основные схемы включения реактивных ламп и соответствующие эквивалентные схемы. Обычно характеристика анодного тока лампы подчиняется закону м 2 причем, однако, при приближении к нижнему сгибу характеристики появляются сильные отклонения от этого закона и ток возрастает значительно менее круто. Вследствие этого зависимость крутизны от смещения управляющей сетки соответствует приближенно закону и3 1 лишь при малых смещениях. При больших смещениях, однако, всегда имеется точка перегиба, вблизи которой крутизна зависит линейно от смещения управляющей сетки или от напряжения на экранирующей сетке; у некоторых пентодов этот диапазон поразительно велик.
Следует отметить, что переменное напряжение на гетеродинной сетке имеет смысл повышать только до известного предела, при превышении которого полезное напряжение промежуточной частоты перестает расти или даже начинает падать. Это объясняется тем, что зависимость крутизны 6 по сигнальной сетке от мгновенного значения напряжения на гетеродинной сетке является нелинейной.
В схеме приемника, изображенной на рис. 1, во входную цепь лампы, кроме ЭДС принимаемого сигнала, вводится еще ЭДС вспомогательной частоты порядка - г - 150 кгц, которая значительно превышает максимальную частоту модуляции принимаемого сигнала. На рис. 2 изображена кривая зависимости крутизны характеристики электронной лампы от напряжения на сетке.

В основу графо-аналитического способа положен принцип графического разложения периодических функций на гармонические составляющие. Такой периодической функцией в данном случае является зависимость крутизны вольт-амперной характеристики от времени, которая обусловлена действием гетеродинного напряжения.
При снижении температуры катода сопротивление катодного покрытия возрастает и крутизна уменьшается. В лампах, имеющих очень малое расстояние сетка-катод, зависимость крутизны от напряжения накала может быть вызвана также изменением местоположения и высоты минимума потенциала при изменении температуры катода.
В основу графо-аналитическо-го способа положен принцип графического разложения периодических функций на гармонические составляющие. Этот способ можно использовать в том случае, когда известна зависимость крутизны характеристики нелинейного элемента от приложенного к нему напряжения.
Характеристика лампы преобразователя частоты и изменение ее крутизны. Но их отношение может оставаться постоянным, если характеристика лампы в рабочей точке линейна. Определяя крутизну для разных напряжений на сетке, можно построить график зависимости крутизны характеристики лампы от напряжения на ее сегке. Для напряжений на сетке, больших - 2 в, при которых приведенная на рис. 9 - 2 характеристика лампы линейна, крутизна постоянна и равна 1 5 ма / в, а для напряжений, меньших - 12 в, она равна нулю, так как лампа при этих напряжениях заперта.
Если выбрать частоту гетеродина ниже частоты сигнала ( fe fc - /), то в этом случае наиболее сильные вредные комбинационные составляющие будут определяться гармониками гетеродина. Они, как правило, имеют больший удельный вес, потому что амплитуда напряжения гетеродина с целью повышения S берется большой и работа преобразователя не всегда происходит на линейной части зависимости крутизны от напряжения гетеродина. Это является одной из причин того, что в радиовещательных приемниках частоту гетеродина выбирают большей, чем частота сигнала.
Флюктуации тока и. Таким образом, за счет нелинейных свойств транзистора в коллекторном токе помимо постоянной составляющей, составляющих с частотами гетеродина и сигнала и второй гармоники гетеродина возникли составляющие с новыми частотами: разностной и суммарной. Именно они и могут быть использованы в качестве промежуточной частоты. Так как обычно характеристика транзистора не просто квадратичная, а более сложная, то зависимость крутизны от напряжения является нелинейной. Это вызывает появление дополнительных составляющих с более сложными комбинационными частотами.
Поэтому определенный интерес представляют данные [7] о линейной зависимости крутизны от напряжения на затворе, из которых следует наличие квадратичных характеристик у ряда отечественных полевых приборов с p - n - переходом в широком диапазоне напряжений на затворе. Для теоретического обоснования полученных экспериментальных результатов автор допускает наличие пикового распределения примесей в канале транзистора. Действительно [2], в этом случае передаточная характеристика прибора получается квадратичной, а следовательно, зависимость крутизны от напряжения на затворе - линейной.
Низкочастотные параметры g, S, - g06p и gi измеряют на основании режимов короткого замыкания на входе и выходе транзистора при соблюдении условия малости сигнала. Сопротивление базы Гб определяется как входное сопротивление транзистора на достаточно высоких частотах / § 1 / 2 ят. В таком режиме в соответствии с (1.17) частотная характеристика коллекторного тока определяется зависимостью крутизны 5 от частоты.
Обмотки W2 такого усилителя индуктивно связаны с нагрузкой в коллекторе ZK, и усилитель сам питает собственный модулятор переменным напряжением. Так как напряжение, питающее модулятор, изменяется в процессе работы усилителя при изменении входного напряжения, то коэффициент передачи модулятора не остается постоянным. По этой причине расчет регенеративного усилителя имеет определенные особенности по сравнению с обычным параметрическим. В [5] рассчитан регенеративный усилитель с контуром в коллекторе с учетом нелинейности детектора, в [6] такой же усилитель рассчитывается с учетом зависимости крутизны транзистора от генерируемого напряжения и нелинейности детектора.
В процессе гидрирования по звездам различной величины m var световые потоки, поступающие от звезд, могут изменяться в тысячи раз. УП-const выходной сигнал на нагрузочном сопротивлении г1ШГр ГВх изменяется в очень широких пределах. Последнее приводит к изменению в широких пределах коэффициента усиления следящей системы, что вызывает насыщение усилительных каскадов и изменение качественных показателей системы. Это совершенно недопустимо для автоматических гидов. С целью обеспечения постоянства коэффициента усиления фотоследящей системы при одинаковых смещениях светящейся точки ( звезды) с оптической осп Д / const независимо от звездной величины целесообразно изменять напряжение питания фотоумножителя, что одновременно вызывает изменение его коэффициента усиления. Для этих целей используется узел регулировки коэффициента усиления или, как его часто называют, узел регулировки крутизны системы. В данном случае используется зависимость крутизны фотоумножителя от напряжения питания. При этом система обеспечивает приблизительно постоянное среднее значение тока фотоумножителя независимо от яркости звезды. Для того чтобы отделить постоянную составляющую тока фотоумножителя от сигнала ошибки, вводится несущая частота, для чего на один из динодов фотоумножителя подаются прямоугольные импульсы частотой 427 гц, амплитуда которых выбирается несколько большей, чем оптимальное напряжение питания одного каскада усиления фотоумножителя. При изменении среднего значения тока пропорционально будет изменяться и амплитуда несущей частоты напряжения на нагрузочном сопротивлении фотоумножителя. Превышение напряжения несущей частоты относительно установившегося значения и является управляющим сигналом для автоматической регулировки крутизны системы.
Третий - водосборные бассейны, выработанные в слабоустойчивых, слабопроницаемых породах флишевой формации таврической серии и карбонатного флиша верхней юры с линзами массивных рифовых известняков. Коэффициент проницаемости их равен 1 - 0 5 MD. Поверхностный сток превышает подземный. Аккумуляция рыхлооблр - мочного материала происходит со скоростью 1 2 м3 / год на I пог. Четвертый - водосборные бассейны, выработанные в неустойчивых, практически водонепроницаемых горных породах. Это нормальный и аргиллитовый флиш таврической серии, среднеюрская флишоидная формация, а также четвертичные отложения делювиального, про-лювиального и аллювиального генезиса с коэффициентом проницаемости 0 Т - 0 5 MD. Преобладает поверхностный сток, вызывающий интенсивную эрозию-и смыв. Скорость аккумуляции рыхлообломочного материала составляет 1 5 - 2 м3 / год на 1 пог. Данное расчленение типов водосборных бассейнов определяется физико-механическими свойствами слагающих склоны горных пород, отражающих зависимость крутизны и расчлененности склонов от их прочности и проницаемости.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11