Большая техническая энциклопедия
2 7
A V W
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
ЗА ЗВ ЗД ЗЕ ЗИ ЗН ЗО ЗР ЗУ

Зависимость - коэффициент - поглощение

 
Зависимость коэффициента поглощения от частоты излучения о определяется согласно (5.68) обычной доплеровской формой линии.
Зависимость коэффициента поглощения и фазовой скорости волны от частоты ( дисперсия), обусловленная собственными колебательными свойствами элементов среды, приводит к существенному различию скорости распространения энергии возмущения ( групповой скорости) от фазовой скорости отдельных составляющих сложной негармонической волны.
Зависимость коэффициента поглощения от длины волны называют спектром поглощения.
Зависимость коэффициента поглощения а, от длины еодны, являясь характеристикой вещества, представляет собой спектр поглощения.
Зависимость коэффициента поглощения от частоты у ( ш) или длины волны а ( Х) называется спектром поглощения тела.
Зависимость коэффициента поглощения от частоты ш или длины волны X называется спектром поглощения. Зависимость коэффициента отражения от ш или X называется спектром отражения.
Зависимость коэффициента поглощения от частоты может быть найдена или на основе теории дисперсии, или с учетом зависимости проводимости от частоты.
Зависимость коэффициента поглощения от частоты а ( со) или длины волны а ( А) называют спектром поглощения тела.
Зависимость коэффициента поглощения от частоты ю или длины волны Я называют спектром поглощения. Зависимость коэффициента отражения от ю или Я называют спектром отражения.
Зависимости коэффициентов поглощения а и излучения е от различных факторов аналогичны друг другу.
Поглощение парами воды в далекой УФ-области.| Поглощение парами воды в вакуумной УФ-области.| Спектры кислорода и озона в вакуумной УФ-области. Зависимость коэффициента поглощения от длины волны выражает поглощение слоя газа толщиной 1 см, приведенное к атмосферному давлению.
Зависимость коэффициента поглощения а от длины волны вблизи края собственного поглощения для образцов с различной степенью чистоты. Кривая Л соответствует наиболее чистому образцу.
Зависимости коэффициентов поглощения и усиления в полупроводниках от интенсивности возбуждения в общем случае простыми функциями в явном виде не выражаются.
Зависимость коэффициента поглощения kv от длины волны света называется спектром поглощения. Для лазерных красителей, например, ширина спектра поглощения ААПОгл составляет 200 - - 300 А, а для свободных атомов ААпогл может изменяться в пределах 10 - 4 ч - 10 - 2 А.

Зависимость коэффициента поглощения от длины волны излучения ( частоты, энергии кванта) называют спектром поглощения. Отдельные области спектра с локальными максимумами коэффициента поглощения соответствуют различным механизмам поглощения энергии излучения в полупроводниках. Механизмы поглощения энергии будут рассмотрены ниже.
Принципиальная схема измерительной установки. Зависимость коэффициента поглощения k ( J) в примесной области от интенсивности излучения имеет также важное значение в процессах релаксации примесной фотопроводимости. В простом, случае возбуждение примесной фотопроводимости связано с появлением свободных носителей только одного знака, тогда как заряды противоположного знака остаются локализованными на атомах примеси. Поэтому процессы совместной диффузии и дрейфа пар электрон-дырка в условиях электронейтральности не могут иметь места.
Зависимостью коэффициента поглощения от длины волны объясняется окрашенность поглощающих тел. Например, стекло, слабо поглощающее красные и оранжевые лучи и сильно поглощающее зеленые и синие, при освещении белым светом будет казаться красным.
Используя зависимость коэффициента поглощения от концентрации носителей, установленную Фаном, Б. Я. Мойжес показал, что эти кривые находятся в полном согласии с формулой Генцеля.
Ввиду зависимости коэффициентов поглощения от длины волны анализ по спектрам поглощения необходимо проводить с помощью спектральных приборов, разлагая падающее на вещество излучение в спектр. Для этой цели могут быть использованы спектрографы, спектрофотометры и инфракрасные спектрометры, а в случае широких полос поглощения у растворов можно пользоваться фотометрами со светофильтрами.
Если зависимость коэффициента поглощения от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то эффект уменьшения проникновения квантов света в глубь полупроводника и увеличения роли поверхностной рекомбинации будет сказываться слабее с уменьшением длины волны.
Поскольку зависимость коэффициента поглощения от S в общем случае не удалось выразить аналитическими формулами, то трудно ожидать, что коэффициент усиления кус ( со) как функция 5 может быть представлен аналитически. Для установления связи / cyc f ( S) необходимо проводить численные расчеты, которые оправданы только при конкретной постановке задачи.
Пусть зависимость коэффициента поглощения от S не известна, однако на опыте установлено, что с ростом So пропускание фильтра монотонно возрастает.
Если зависимость коэффициента поглощения от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то эффект уменьшения проникновения квантов света в глубь полупроводника и увеличения роли поверхностной рекомбинации будет сказываться слабее с уменьшением длины волны.
Используя зависимость коэффициента поглощения от концентрации носителей, установленную Фаном, Б. Я. Мойжес показал, что эти кривые находятся в полном согласии с формулой Генцеля.
Ввиду зависимости коэффициента поглощения от длины волны средние значения а для всего потока излучения ( Фе) и для видимой его части ( Ф) могут быть различными.
Если зависимость коэффициента поглощения от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то эффект уменьшения проникновения квантов света в глубь полупроводника и увеличения роли поверхностной рекомбинации будет сказываться слабее с уменьшением длины волны. Поэтому максимум спектральной характеристики может смещаться при изменении толщины базы и скорости поверхностной рекомбинации.
Изменение распределения интенсивности в спектре рентгеновского излучения при прохождении через вещество. Характер зависимости коэффициента поглощения от длины волны определяет в известной мере выбор излучения при структурном исследовании того или иного кристалла. Сильное поглощение в кристалле значительно уменьшает интенсивности дифрагированных кристаллом лучей ( а следовательно, увеличивает экспозицию при съемке на фотопленку); кроме того, излучение флюоресценции, распространяющееся от кристалла во все стороны, вуалирует пленку, затрудняя оценку интенсивностей дифракций. Поэтому работать при длинах волн, несколько меньших Хкр, невыгодно; следует избегать такого положения, когда длина волны лучей немного меньше длины волны края поглощения любого из элементов, входящих в состав исследуемого соединения.

Графики зависимости коэффициентов поглощения и рассеяния от энергии у-лучей приведены в приложении.
Итак, зависимость коэффициента поглощения от ю имеет форму узкого высокого резонанса на широком пьедестале. Ширина узкого резонанса определяется приведенным естественным временем жизни для рассматриваемого двухфотонного перехода От и оказывается весьма малой. Тем самым определяется положение этого резонанса, что лежит в основе спектроскопии высокого разрешения, свободной от доплеровского уширения.
Что касается зависимости коэффициента поглощения от свойств среды, то здесь для продольных волн в газах и жидкостях имеет место следующая закономерность. Коэффициент поглощения обратно пропорционален кубу скорости упругой волны и прямо пропорционален кинематической вязкости.
Бердыев исследовал зависимость коэффициента поглощения а от состава в тех же самых смесях С7Н8 - С6Н6 и эфир - СС14, но он изучал влияние примесей сильно поглощающей жидкости на мало поглощающую жидкость. Им было, обнаружено, что в области малых концентраций, от О до 1 % Сш, коэффициент поглощения падает с увеличением концентрации примерно до 0 26 %, после чего начинает возрастать и делается большим, чем в чистом толуоле, эфире или хлорбензоле.
Что касается зависимости коэффициента поглощения от свойств среды, то здесь для продольных волн в газах и жидкостях имеет место следующая закономерность. Коэффициент поглощения обратно пропорционален кубу скорости упругой волны и прямо пропорционален кинематической вязкости.
Зависимость полуширины f - n лосы ( 1 и концентрации дефектов Шоттки ( 2 от состава твердых растворов KCI - КВг. Пели построить зависимость коэффициента поглощения света от д пины волны, получается кривая, носящая название F-полосы.
Строят график зависимости коэффициента поглощения от длины волны k f ( Я) для синего, красного и зеленого образцов и определяют интервалы полос поглощения.
Строят график зависимости коэффициента поглощения от длины волны k f ( K) для синего, красного и зеленого образцов.
Абсолютная величина зависимости коэффициента поглощения от длины волны несколько неопределенна, так как многие измерения были проведены на тонких пленках, сублимированных в вакууме на кварцевые подложки. Коэффициенты поглощения хлорида и бромида серебра медленно уменьшаются при переходе от 2000 А к более длинным волнам, причем на кривой для хлорида серебра имеется пик при 2540 А, а для бромида - при 3150 А. Йодид серебра имеет резко выраженный пик поглощения при 4230 А, похожий на экситонный пик галогенида щелочного металла, после которого поглощение резко падает. Йодид серебра поглощает в области больших длин волн гораздо сильнее, чем бромид серебра, что очень важно для фотографии.
Зависимость коэффициента поглощения ультразвука от плотности дисперсной фазы в эмульсиях ( v 5 МГц. С0б 40 %.| Зависимость величины коэффициента А в уравнении ( V-47 от среднего радиуса капель эмульсии. Для исследования зависимости коэффициента поглощения ультразвука от плотности дисперсной фазы были подобраны вещества с примерно одинаковой вязкостью: октан, толуол, дихлорэтан, хлороформ, четыреххлористый углерод, фреон, а также смеси октана и дихлорэтана, толуола и дихлорэтана. Таким образом, исследованы эмульсии веществ во всем практическом диапазоне плотностей.
Графическое изображение зависимости коэффициента поглощения исследуемого вещества от длины волны падающего излучения называют спектром поглощения. Длину волны обычно выражают в ангстремах или микронах.
Влияние мутности воды на коэффициент поглощения бактерицидного излучения. Кривая / показывает зависимость коэффициента поглощения а от мутности воды, вызванной добавлением к дистиллированной йоде белой глины мыловки. Кривая 2 показывает ту же зависимость при добавлении к дистиллированной воде аолина.

Используя установленную Фаном зависимость коэффициента поглощения от концентрации носителей тока, Мойжес показал, что существует полное согласие приведенных кривых с формулой Генцеля.
В германии р-типа зависимость коэффициента поглощения света свободными носителями тока от Я 2 нарушена.
Формула (13.20), определяющая зависимость коэффициента поглощения от накачки и справедливая для системы частиц с произвольным числом уровней энергии при изотропном возбуждении, как видно из рис. 61, служит хорошим приближением, если возбуждающий свет анизотропен. Она верна для положительных и отрицательных о и поэтому нашла широкое применение в теории оптических квантовых генераторов.
Зависимость декремента от амплитуд напряжений для стали марки Ст. 2. На рис. 50 представлены зависимости коэффициента поглощения г от статических растягивающих напряжений в пределах от 0 до приблизительно 6 - Ю7 Н / м2 ( 0 - 600 кгс / см2) для образцов из стали Ст. Из рис. 50 следует, что декремент колебаний не зависит от статических растягивающих напряжений.
В выражении (5.11) отсутствует зависимость коэффициента поглощения от мощности падающего излучения.
Зависимость отражательной способности от угла падения для р - и s - волн в случаях, когда луч распространяется из воздуха в диэлектрик ( а и из диэлектрика в. На рис. 3.15 построены зависимости коэффициентов поглощения при нормальном падении для некоторых типичных металлов.
На рис. 221 представлена зависимость коэффициентов поглощения от энергии f - лучей для свинца.
На рис. 11.28 приведена зависимость коэффициента поглощения от энергии фотона a f ( E) для InSb р-типа, легированного Zn, с концентрацией дырок 2 6 1017 см-3 при температуре 78 К [190]: 1 - экспериментальная кривая; 2 - 4 - расчетные кривые с использованием различного набора зонных параметров; 5 - расчетная кривая при учете непараболичности зоны тяжелых дырок. Поглощение связано с переходами носителей тока менаду подзонами тяжелых и легких дырок валентной зоны, причем зона тяжелых дырок непараболична.
Зависимость спектральной степени черноты ev плоского слоя газа от его оптической толщины avl. Для этого нужно знать зависимость коэффициента поглощения av от частоты v в полосах поглощения - излучения для данного газа при заданных температуре и давлении. Вычисление сводится к интегрированию обеих частей уравнения ( и) по всему спектру, практически - по полосам поглощения, так как вне их излучение отсутствует.
Ка рис. 11.295 приведена зависимость коэффициента поглощения легированных и нелегированных кристаллов GaP при 30е К от энергии фотона, а на рис. 11.296 - интенсивность фотолюминесценции легированных и нелегированных ( 25 ат.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11