Большая техническая энциклопедия
2 3 6
A N P Q R S U
А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
Б- БА БЕ БИ БЛ БО БР БУ БЫ БЮ

База - транзистор

 
Базы транзисторов подключены к вертикальным управляющим проводам ( У. В исходном состоянии схемы, когда нет ни одного соединения, на горизонтальные шины подается напряжение - 4 в через сопротивления Ro, а на базы транзисторов 4 - 30 в с управляющих проводов У. Ум - Таким образом, базы по отношению к эмиттерам находятся под напряжением 34 в, благодаря этому все транзисторы закрыты. На рис. 2.7 без скобок указано напряжение в исходном состоянии, а в скобках - напряжение рабочего сигнала.
Пути токов в базе транзисторов. а - сплавного. б - пленарного. База транзистора обладает, как уже говорилось, сопротивлением; следовательно, проходящие через нее токи могут создавать на этом сопротивлении падения напряжения. Эти падения напряжения прикладываются к переходам транзистора, создавая обратные связи.
Пути токов в базе транзисторов. База транзистора обладает, как отмечалось, сопротивлением; следовательно, проходящие через нее токи могут создавать на этом сопротивлении падения напряжения, которые прикладываются к переходам транзистора, создавая обратные связи. Кроме того, и само сопротивление базы определяет значение постоянных времени заряда барьерных емкостей переходов.
Гидравлическая аналогия стабилитрона при.| Схема включения транзистора. База транзистора через резистор 5 и включатель 4 присоединена к минусовому выводу батареи.
Включение транзистора в схему усилителя. База транзистора имеет очень малую толщину, порядка нескольких микрон, что много меньше длины диффузионного пробега носителей зарядов. Это обстоятельство обусловливает сильную зависимость тока коллектора от тока эмиттера, что необходимо для обеспечения усилительных свойств транзистора.
База транзистора VT1 подключена через резистор R2 к входу LC-фильтра.
База транзистора, как указывалось, может иметь электронную или дырочную проводимость. Соответственно различаются транзисторы типа р - га - р или п - - р - га.
Базы транзисторов соединены через насыщающийся дроссель Др, вольт-секундный интеграл которого определяет величину среднего значения выходного напряжения преобразователя.
База транзистора Т2 через резисторы R5 и R6 соединена с шиной - UK, обеспечивая его открытие. Транзистор ТЗ также открыт, так как его база через насыщенный транзистор Т2 и резистор R8 соединена с шиной - UK. Отрицательный потенциал коллектора 77 через резистор R4 обеспечивает открытие Т4 и сигнал 0 на выходе элемента.
База транзистора получает отрицательный потенциал по отношению к эмиттеру. Положительные обратные связи вызывают лавинообразный процесс переключения транзисторов Т1 и Т2, в результате которого триггер опрокидывается в рабочее состояние.
Принципиальная схема стабилизированного регулируемого источника питания от 4 до 14 В ( 0 5 А с электронным предохра.
База транзистора Т1 подключена к движку потенциометра R4, который является частью делителя напряжения, подключенного к выходу стабилизатора.
База транзистора Т3 подключена к адресной шине ЗУ, а эмиттер - к разрядной шине ячейки. Время выборки в ЗУ на ECL-схемах достигает 10 - 20 не.
База транзистора Т2 ( КТ315Б) подключена к средней точке делителя напряжения R1 - транзистор TI. При увеличении синусоидального напряжения на вторичной обмотке трансформатора Тр увеличиваются напряжение на базе транзистора TI, ток коллектора этого транзистора, а напряжение уменьшается.
Базы транзисторов Т6 и 77 питаются током эмиттера транзистора Т5 и, таким образом, при повышении температуры жестко стабилизированы без применения термистора.
База транзистора выполняется обычно из относительно высокоомного материала, поэтому ее объемное сопротивление г б заметно влияет на работу транзистора. Так, при большом токе падение напряжения на сопротивлении гб уменьшает величину смещения эмиттерного перехода.
База транзистора Т не включена непосредственно в цепь обратной связи, что уменьшает влияние цепи запуска на процесс переброса триггера.
Схема простейшего дифференциального усилительного каскада. Базы транзисторов являются входами усилителя, а выходное напряжение снимают с одного из коллекторов транзисторов VT1 и VT2 ( несимметричное подключение нагрузки) или включают нагрузку между коллекторами двух транзисторов.
Частотная характеристика усилителя коррекции ( Л /. База транзистора VT4 через резистор R27 соединена с коллекторной цепью транзистора VT5, включенного по схеме ОЭ и нагрузкой R28 в цепи коллектора. С коллектора транзистора VT3 сигнал подается на базу транзистора VT5, поэтому дифференциальный усилитель оказывается охваченным глубокой ООС как по переменному, так и по постоянному току. Благодаря этому усилитель имеет высокую термостабильность и малые нелинейные искажения.
База транзистора выполняется обычно из относительно высокоомного материала, поэтому ее объемное сопротивление г б заметно влияет на работу транзистора. Так, при большом токе падение напряжения на сопротивлении гб уменьшает величину смещения эмиттерного перехода.
База транзистора Т будет забирать примерно лишь 0 01 - 0 015 ма этого тока.
Базы транзисторов V1 и V2 при этом соединяют вместе.
База транзистора Trit соединенная со средней точкой делителя ( R5, е), получает вследствие этого потенциал, много меньший первоначальной величины, и транзистор Trl открывается. Но в этот момент потенциал на коллекторе 7i становится равным напряжению смещения р эмиттеров; иными словами, он возрастает ( цифра 0), вызывая при помощи делителя ( Rz, Ra) возрастание потенциала базы TR2, что усиливает закрытое состояние последнего.
База транзистора Тв подключена непосредственно к коллектору транзистора Tz, что позволило обойтись без дополнительных элементов смещения. Резистор Rls, включенный в цепь эмиттера транзистора Тв, определяет его коллекторный ток, выбранный равным около 2 ма. Далее напряжение сигнала увеличивается примерно в шесть раз и подается на вход детектора.

База транзистора Тг при этом имеет отрицательный потенциал по отношению к его эмиттеру, вследствие чего этот транзистор отперт, находится в состоянии насыщения.
База транзистора обычного типа, работающего в усилителе или генераторе сигналов, выполняет функции управляющей сетки, эмиттер - функции катода и коллектор - анода электронной лампы. Вместе с тем режим работы транзистора существенно отличается от режима электронной лампы: она может работать без тока в цепи управляющей сетки, причем для большинства ламповых усилительных схем этот ток вреден, а транзисторы работоспособны только при условии, что в цепи базы или иного управляющего электрода течет ток. Величина тока базы маломощных транзисторов обычно порядка сотых или десятых долей миллиампера, она достигает нескольких миллиампер только при их использовании в оконечных усилительных каскадах и в переключающих устройствах.
Базу транзистора выполняют очень тонкой ( несколько микрометров), а коллектор должен позволять отводить теплоту, выделяющуюся при работе прибора.
Устройство фототранзистора ( а, схема включения ( б и вольтамперные характеристики ( в. Если база транзистора выполнена из материала, имеющего электронную проводимость, то образующиеся в ней при световом воздействии дырки переносятся полем коллекторного перехода в область коллектора, а электроны остаются в базе, создавая в ней отрицательный объемный заряд.
Схема бестрансформаторного усилителя мощности.| Схема усилителя мощности с синфазным питанием от источника переменного напряжения. На базы транзисторов воздействует одно и то же переменное напряжение вх. Однако в силу различной структуры транзисторов токи в их цепях противофазны.
На базы транзисторов Г2, Г3 и Г4 подается отрицательное напряжение смещения. Поэтому при поступлении видеосигнала на базу транзистора Г2 этот сигнал усиливается и выделяется на выходном нагрузочном резисторе. Однако при подаче на базу транзистора Г4 сигнала гашения с полярностью, противоположной прямому ( отрицательному) смещению, транзистор Т4 запирается. Поскольку транзисторы Т2, Т3 и 7 включены последовательно, запирание любого из них приводит к запиранию двух других. Запирание транзистора Т4 и двух других, включенных с ним последовательно, приводит к появлению на выходном резисторе импульса гашения.
Схема транзисторного регулятора напряжения релейного типа. Дз-На базы транзисторов Т и T подается сигнал, пропорциональный отклонению напряжения генератора от заданного значения. В зависимости от знака этого сигнала открывается транзистор Т2 или Ts. На вход транзистора Tt ( эмиттер - база) подается отпирающее напряжение и ток в обмотке возбуждения начинает увеличиваться. Открытый транзистор Т шунтирует переход эмиттер - база транзистора Т2, запирая его. При этом открывается транзистор Т3, так как на его базу подается отрицательный относительно эмиттера потенциал. С увеличением тока возбуждения генератора напряжение на зажимах его якоря начинает расти и изменяется полярность сигнала, снимаемого с измерительного элемента.
Упрощенная схема сложения видеосигнала с сигналом. На базы транзисторов Tz и Т3 поступают соответственно видеосигнал в отрицательной полярности и сигнал гашения в положительной полярности.
На базы транзисторов Тг, Тз поступает напряжение высокой частоты со вторичной обмотки Li высокочастотного трансформатора. Транзисторы Т2 и Тз подбираются одинаковыми по параметрам. С его помощью контролируется работа передатчика.
Схема магнитно-транзисторного мультивибратора ( а и диаграммы входного и выходного напряжений ( б.
На базы транзисторов VI и V2 через разделительные диоды V3 и V4 поступает синусоидальное напряжение L / вх. Транзисторы переключаются, и на вторичной обмотке трансформатора формируется напряжение прямоугольной формы, синхронизированное с / X по частоте.
Простейшая схема устройства для получения асимметричного тока.| Схема устройства для получения асимметричного тока от источника переменного тока, работающего с более высоким к. п. д. На базы транзисторов ТЗ и Т4 напряжение вторичных обмоток трансформатора прикладывается в противофазе, что обеспечивает поочередную работу транзисторов.
Схема транзисторного усилителя без.| Схема транзисторного усилителя без выходного трансформатора с фазоинверсиым каскадом на транзисторах с разной проводимостью. На базы транзисторов оконечного каскада через делители напряжения йуйв и й Яш подается небольшое напряжение смещения, благодаря чему искажения при малом уровне сигнала незначительны. Кроме того, поскольку одно из сопротивлений каждого делителя подключено непосредственно к коллектору транзистора, возникает отрицательная обратная с § язь ( порядка 2 - 3 дб), которая также способствует уменьшению нелинейных искажений при слабом сигнале.
Модель 1 я-секции Линвилла. Ток базы транзистора равен сумме токов /, всех секций.
Цепь базы транзистора 2Т6 ( по постоянному току) соединена непосредственно с цепью эмиттера транзистора 2Т5, поэтому режим работы второго каскада видеоусилителя определяется режимом работы первого каскада.
Толщина базы транзистора должна быть много меньше диффузионной длины инжектируемых в нее носителей о ( б1 5 - ь25 мкмс.
Цепь базы транзистора представлена в эквивалентной схеме объемным активным сопротивлением базы г6, составляющим сотни ом. Процесс незначительного роста коллекторного тока / к с повышением напряжения на коллекторе 1 / к6 отражен в эквивалентной схеме дифференциальным коллекторным сопротивлением гк, определяемым соотношением гк ( SU K / dI), и составляющим обычно единицы мегаом.
Цепи баз транзисторов Т12 и Т22 соединены с коллекторами входных транзисторов накоротко.
Ток базы транзистора Т18 протекает по цепи: источник 12 В, эмиттерный переход транзистора Т18, резистор R60, переключатель Во, диод Д6, вывод 10 ИС А4, дешифратор, корпус. Ток базы транзистора Т16 протекает по цепи: 12 В, переход эмиттер-база транзистора Т16, резистор R56, переключатель В6, диод Д6, вывод 10 ИС А4, дешифратор, корпус.
Ток базы транзистора к моменту окончания формирования фронта импульса достигает максимального значения iGic 1с макс, а затем в процессе формирования крыши импульса по мере заряда конденсатора С убывает по экспоненциальному закону - с-достоян-нон времени тс Сгв.
Ток базы транзистора V10 через резистор R9 прекращается, и транзистор V10 запирается. Его транзисторы Vll, V12 периодически отпираются и запираются.
Цепь базы транзистора в состоянии выключено рассчитывается с учетом главных факторов - стабильности / со или запуска.

Потенциал базы транзистора Т7 определяется напряжением стабилизации стабилитрона Д23, который при одновременном включении прибора в сеть и в пультовую линию пробивается, и на базе транзистора 77 устанавливается потенциал порядка - 99 В относительно общего плюсового провода. Потенциал эмиттера транзистора Т7 при работе преобразователя от пультовой линии равен - 14 В. Таким образом, транзистор 77 оказывается закрытым, и потенциал его коллектора будет близок к стабилизированному напряжению источника-24... За счет высокого потенциала на коллекторе транзистора 77 происходит пробой цепочки из двух последовательно включенных стабилитронов Д27 и Д28, благодаря чему транзистор Т13 будет находиться в открытом состоянии. Между коллектором Т13 и минусовым проводом блока питания через резистор R26 включен световой сигнализатор.
Цепь базы транзистора представлена в эквивалентной схеме объемным активным сопротивлением базы гб, составляющим сотни ом.
Схема мультивибратора с емкостной и резистивно-емкостной связями и одним источником эмиттерного питания. Потенциал базы транзистора TI положителен относительно его эмиттера.
Токи базы транзистора ТЗ и его коллекторной цепи возрастают.
Схема элемента транзисторной логики с эмиттерными связями. На базу транзистора VT2 подается стабильное опорное напряжение Uon, значение которого выбирается в середине между двумя логическими уровнями. Диоды VDi и VD2 используются для компенсации влияния изменения температурных режимов.
На базу транзистора 1-го каскада усилителя ПЧ от ГСС через разделительный конденсатор емкостью 0 05 - 1 мкф подают сигнал с частотой 465 кгц напряжением 50 - 100 мкв при глубине модуляции 30 % и частоте модуляции 1 000 гц. Подстраивают в резонанс с промежуточной частотой контур 2-го каскада усилителя ПЧ. Затем вращением подстроечного сердечника катушки контура 1-го каскада усилителя ПЧ добиваются наибольшего напряжения на выходе приемника.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11