Большая техническая энциклопедия
0 1 3 4 9
D V
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ь Э Ю Я
КА КВ КЕ КИ КЛ КО КР КУ

Кристаллографическая ориентация

 
Кристаллографическая ориентация в определенном направлении в общем случае не является строгой для всех кристаллитов, наблюдаются незначительные отклонения.
Кристаллографическая ориентация произвольная, на крупных монокристаллах ( масса более 6 г) допускается наличие двойниковых границ.
Схема, иллюстрирую - ЖИДКОФЗЗНОЙ ЭПИТЗКСИИ. Для щая относительнЬсть понятия u r. Кристаллографическая ориентация подложки оказывает существенное влияние на толщину и морфологию поверхности эпитаксиального слоя, его структурное совершенство и однородность распределения компонентов и примесей по толщине. Эпитаксиальный рост на гладких плот-ноупакованных сингулярных плоскостях вследствие малых скоростей их роста обеспечивает морфологическое совершенство поверхности и меньшую дефектность структуры. По этой же причине сингулярные плоскости легче захватывают примеси, чем несингулярные.
Кристаллографическая ориентация затравки относительно поверхности расплава определяет ориентацию выращенного кристалла.
Кристаллографическая ориентация си-фазы внутри ячейки отличается от исходной ориентации ап-фазы в том зерне, в котором растет эта ячейка. Вместе с тем ориентация ai - фазы внутри ячейки такая же, как в соседнем зерне по другую сторону от границы, где начался прерывистый распад. Таким образом, продвижение фронта ячейки прерывистого распада в сторону одного зерна сопровождается переориентацией кристаллической решетки матричной фазы и его можно трактовать как продвижение межзеренной границы в сторону поедаемого зерна.
Кристаллографическая ориентация плоскостей и перпендикулярных им направлений обозначается индексами Миллера, заключаемыми соответственно в круглые или квадратные скобки.
Контроль кристаллографической ориентации проводят непосредственно на станке для резки монокристаллов на пластины или на отрезанной пластине. Первый способ, более точный, нашел пока применение в технологии подложек наиболее массового полупроводника - кремния. Для других материалов ориентацию чаще всего контролируют на отрезанных пластинах рентгеновским методом.
Ориентация кристаллографических направлений в клинообразной подложке Ge.| Обратная лауэграмма с пленки ромбоэдрической фазы CdS, выращенной на подложке ( 111 GaAs. Си-излучение. Анализ кристаллографических ориентации пленок, осажденных на поверхностях 112 GaAs, InSb, для которых условия 3 и 4 не совпадают, показал, что в этом случае преимущественно выполняется закономерность 4, а не 3 и, кроме того, появляется разорионтация в несколько градусов между направлением [110] подложки и [1010] пленки.
Изображение осей а, различных кристаллографически важных направлений и атомных плоскостей. Но поскольку кристаллографическая ориентация ямок травления, образующихся под действием О2 при различных температурах, уже изучена [15, 44, 45], нет смысла работать с такими кристаллами.
Следовательно, кристаллографическая ориентация граней зерен проявляется в микроэлектрохимической гетерогенности сильнее в случае более чистых материалов.
Ход лучей в отражательном микроскопе.| Ход лучей в просвечивающем микроскопе.
Различаются по кристаллографической ориентации, кристаллической структуре, химическому составу.
Схема керамической формы для монокристаллического литья лопатки от затравки. Указанная непредсказуемость кристаллографической ориентации лопатки в плоскости, перпендикулярной направлению роста, может быть причиной разброса ее вибрационных характеристик.
В зависимости от кристаллографической ориентации поверхности германия изменяется смачивание его индием.
Эти авторы приписывают кристаллографическую ориентацию дендрита тому обстоятельству, что дислокации образуются с большой вероятностью в плоскостях ( ПО); полагают, что дислокации действуют как концентраторы электрического поля.
Соседние зерна имеют различную кристаллографическую ориентацию, и, следовательно, границы между ними - это переходная зона, в которой расположение атомов является некоторым компромиссом между их кристаллографической расстановкой в каждом из соприкасающихся зерен. Сама граница создает в поликристаллическом материале область, отличающуюся не только физически, но часто и химически от зерен, расположенных по ее сторонам.
Довольно часто наблюдается влияние кристаллографической ориентации на скорость коррозии металлов. Так, медный монокристаллический - электрод, выточенный в форме шара, после анодного травления в растворах фосфорной и серной кислот принимает форму многогранника.
Зависимость продольной термоЭДС от угла кристаллографической ориентации ф приведена.
Дефекты упаковки в ав-тоэпитаксиальном слое кремния с ориентацией ( 111.| Образование дефекта упаковки в слое кремния на подложке с ориентацией по плоскости ( 111. Форма дефектов упаковки зависит от кристаллографической ориентации слоя.
Эпитаксиальная монокристаллическая пленка должна иметь определенную кристаллографическую ориентацию относительно подложки. На поверхности раздела между ними имеется нарушение непрерывности периодической структуры бикристаллической системы и существует несоответствие в расположении атомов по ту и другую сторону поверхности раздела. Это несоответствие аналогично тому, которое наблюдается на границе между разориентированны-ми относительно друг друга зернами одного и того же вещества.
Отсюда можно сделать вывод, что кристаллографическая ориентация грани влияет на ее каталитическую активность. Эти данные согласуются с результатами, полученными Биком и Ричи [93], которые показали, что неориентированные металлические пленки отличаются по своей каталитической активности от ориентированных пленок. Таким образом, во многих случаях неоднородность поверхности очень чистых металлических катализаторов может быть обусловлена тем, что на этих поверхностях представлены в большом количестве различные кристаллические грани.
Поверхностное натяжение твердого тела зависит от кристаллографической ориентации его поверхности.
Опыты по влиянию угла наклона и кристаллографической ориентации надреза дали меньшее значение прочности против ожидаемого, в предположении, что плоскость ( 110) является единственной плоскостью скольжения.
Фазам пластинчатых эвтектик присуща тенденция к предпочтительной относительной кристаллографической ориентации. Для полной ( адекватной) кристаллографической характеристики структуры необходимо задать плоскость габитуса пластины, кристаллографические плоскости каждой фазы, контактирующие на поверхности раздела, и взаимно параллельные направления в этих плоскостях. Следует задать и направление роста; при стационарной кристаллизации пластины, как правило, располагаются перпендикулярно поверхности раздела твердая фаза - расплав, так что направление роста должно лежать в плоскости раздела пластин.

Важно подчеркнуть, что при эпитаксиальном наращивании кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки. С помощью эпитаксии получают тонкий активный ( рабочий) слой полупроводника на сравнительно толстой пассивной подложке. Роль подложки сводится к повышению конструктивной прочности полупроводникового элемента.
Форма фигур травления позволяет сделать заключение о кристаллографической ориентации.
Такое же существенное влияние наличия на поверхности определенной кристаллографической ориентации - текстуры обнаружено при изучении процесса электролитической полировки гальванических осадков, сплавов латуни, сталей, сплава нимоник и гомогенных чистых металлов. Установлено, что анодное растворение металла в течение всего времени контролируется строением металла. Чем совершеннее текстура, тем успешнее проходит процесс полирования, тем выше блеск поверхности и положительнее ее потенциал.
Если скорость роста ступени v по всем кристаллографическим ориентациям не одинакова, то, согласно Бартону, Кабрере и Франку185, образуются многоугольные спирали.
Характер разрушения рабочих лопаток ГТД. Следовательно, необходимо стремиться получать структуру с кристаллографической ориентацией ( 001), которая обеспечивает оптимальное сочетание механических и жаропрочных свойств. Следует отметить еще один важный момент, а именно, что сплавы с ориентацией ( 001) имеют более низкий модуль упругости по сравнению со сплавами, структура которых состоит из равноосных зерен. Тем самым в направленно-кристаллизованных отливках удается снизить уровень термических напряжений, что повышает их выносливость при термоциклировании.
Не установлена связь между скоростью реакции и кристаллографической ориентацией на поверхности, несмотря на обилие литературы по этому вопросу. Имеется множество экспериментов, подтверждающих эту связь, но в других исследованиях показано, что скорость катализа не зависит от кристаллографической ориентации.
Температурная зависимость обобщенного коэффициента распределения примеси теллура в эпитаксиальных слоях GaP, осажденных в закрытой ( / и открытой ( 2, 3 системах, при концентрации теллура в расплаве, ат. доли. 1 - 6 - 10. 2 - 7 3 - 10 - б - Б. з - 1 7Х Х10 - 4.| Схемы равновесного с подпиткой ( а я неравновесного ( б методов электрожидкофазной кристаллизации. Определенное влияние на величину эффективного коэффициента распределения оказывает кристаллографическая ориентация плоскости подложки. Экспериментально установлено, что на плоскости ( III) В эффективные коэффициенты распределения доноров kD больше, а акцепторов kA меньше, чем на плоскости ( III) А. Ориентационная зависимость эффективных коэффициентов распределения в процессе жидкофазной эпитаксии, так же как и при выращивании объемных кристаллов, может быть объяснена различным характером адсорбции примеси на разным образом ориентированных плоскостях полупроводников.
Результат травления поверхности обычно сильно зависит от ее кристаллографической ориентации. Плотно упакованные плоскости, как правило, легче поддаются травлению, чем остальные плоскости кристалла. При отклонении от этой ориентировки может исчезнуть эффект преимущественного травления для некоторых специфических травителей. Правильно выбирая травитель, можно получать ямки на плоскостях с большими индексами.
Двухмерная модель наноструктурного материала.| Схема классификации ПК-материалов в соответствии с формой кристаллитов и границ, а также с их химическим составом. Блоки могут различаться по своей атомной структуре, кристаллографической ориентации и химическому составу. Если строительные блоки являются кристаллами, то между ними могут формироваться когерентные или некогерентные границы раздела.
Поскольку интенсивность поляризованного света зависит в основном от кристаллографической ориентации кристалла на поверхности, применение поляризованного света наиболее целесообразно для исследования микроструктуры поликристаллических материалов или для определения их преимущественной ориентации. Вследствие разницы в оптической длине пути света лучи образуют на таком клине полосы взаимного усиления и гашения в соответствии с уравнением вида пХ 2 хй cos 6, где га - порядок интерференции; ц, - показатель преломления воздуха; d - толщина клина.
Морфология и число зародышей особенно сильно зависят от кристаллографической ориентации металлического подслоя, тогда как их ориентация в одной и той же кристаллографической плоскости остается неизменной. По-видимому, ион кислорода располагается в центре грани единичного куба, что соответствует его положению в решетке FeO. Тогда максимальная плотность наличных мест приходится на плоскость ( 100), на которой действительно и наблюдалось максимальное число зародышей.

Необходимо подчеркнуть, что А, зависит от кристаллографической ориентации рассматриваемой плоскости, поскольку Ws и Us различны для разных граней. Так как Us изменяется при переходе от одной грани к другой не так сильно, как Ws, то К для плотноупакованной грани при прочих одинаковых условиях меньше, чем для грани с малой плотностью упаковки атомов.
В данной работе изложены основные результаты исследования влияния кристаллографических ориентации подложек из сапфира на ориентацию и морфологию поверхности эпитаксиальных слоев сульфида кадмия.
Благоприятными условиями для схватывания является совпадение зерен с близкой кристаллографической ориентацией.
II мы рассмотрим некоторые методы изучения поверхностей с определенной кристаллографической ориентацией на отдельных монокристаллах.
Монокристаллы могут быть с заданной или и 1 извольной кристаллографической ориентацией. Кристаллы выпускаются л нелегированные, либо легированные индием и галлием. Темповое у / к1 ное сопротивление нелегированных высокоомных монокристаллов сернист кадмия должно быть в пределах от 1 до 15 Ом - см. Удельное элсктросопро.
Например, в Si была установлена связь между кристаллографической ориентацией границ зерен и их ре комбинационными свойствами.
Для монокристаллов различных ориентировок установлена существенная зависимость пластичности от кристаллографической ориентации, что свидетельствует о дислокационном механизме сверхпластического течения. Однако важной отличительной особенностью этих материалов являются наличие зернограничной пористости и постоянство ее уровня на протяжении всей деформации.
Примеры эпитаксиалышх в результате которой на подлож-слоев на разных типах подложки. ке осаждается чистый кремний. Эпитаксиальный слой осажденного кремния монокри-сталличен и имеет ту же кристаллографическую ориентацию, что и подложка.
Этот электролит оказался оптимальным для выявления микроэлектрохимической гетерогенности, обусловленной кристаллографической ориентацией: измеряемая разность потенциалов между отдельными зернами максимально приближалась к начальной разности потенциалов. Доказательством является отсутствие зависимости измеряемой разности потенциалов от расстояния между исследуемыми зернами на поверхности шлифа ( что указывает на отсутствие макропар в таком электролите) и наличие зависимости только от интенсивности растворения зерен, определяемой по внешнему виду в поле микроскопа.
Скачки потенциала при переходе от зерна к зерну обусловлены различной кристаллографической ориентацией поверхностей этих зерен.
Равновесная форма кристаллита определяется изменением поверхностной энергии в зависимости от кристаллографической ориентации.
Первые пять ( после Фо) членов не зависят от кристаллографической ориентации векторов Н и L; эти члены имеют обменное происхождение. Следующие два члена связаны с релятивистскими взаимодействиями; ось z выбрана, как обычно, вдоль главной оси симметрии кристалла.
Первые пять ( после Ф0) членов не зависят от кристаллографической ориентации векторов Н и L; эти члены имеют обменное происхождение. Следующие два члена связаны с релятивистскими взаимодействиями; ось г выбрана, как обычно, вдоль главной оси симметрии кристалла.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11