Большая техническая энциклопедия
2 4 7
D L N
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
А- АА АБ АВ АГ АД АЕ АЖ АЗ АИ АЙ АК АЛ АМ АН АП АР АС АТ АУ АЦ

А-параметр

 
А-параметры, измеренные для схемы с общей базой: Лц 32 ом, Ai22 5 - 10 - Ч A2i0 98, Л221 10 - 6 мо.
Система А-параметров носит название смешанной ( гибридной) системы, так как ее параметры имеют различную размерность.
Систему А-параметров обычно используют на низких частотах, когда пренебрежимо малы емкостные составляющие токов. Необходимые для измерения параметров режимы короткого замыкания и холостого хода для переменной составляющей тока могут быть осуществлены на этих частотах сравнительно просто. Поэтому в технических условиях и справочниках по транзисторам низкочастотные параметры обычно приводятся в системе А.
Система А-параметров называется смешанной, так как она характеризует либо сопротивление, либо проводимость.
Эквивалентная схема по переменному току двухкаскадного усилителя звуковой частоты. Значения А-параметров транзистора типа 2N338 приведены в справочном листе и преобразуются в соответствующие значения для схемы с общим эмиттером, которые корректируются для конкретных рабочих режимов. Формулы преобразования А-параметров берутся из табл. 6 - 1, 6 - 2, связывающих А-параметры с параметрами схем замещения транзистора для трех схем включения: ОБ, ОЭ и ОК.
Во-первых, А-параметры легко измеряются. Необходимо помнить, что измерение параметров транзисторов производится в определенной рабочей точке, следовательно, электроды транзистора не могут быть просто закорочены для осуществления режима короткого замыкания или разомкнуты для осуществления режима холостого хода. Короткое замыкание и холостой ход должны осуществляться так, чтобы не нарушался требуемый рабочий режим транзистора. Для определения z - и / - параметров требуется проведение всех измерений либо при холостом ходе, либо при коротком замыкании. Так как входное сопротивление транзистора сравнительно мало, а выходное сопротивление велико ( для схем с общей базой и общим эмиттером), трудно осуществить один и тот же режим измерений как для входной цепи, так и для выходной.
Эквивалентная схема тран - [ IMAGE ] Эквивалентная схема транзи-зистора ОБ. стора ОЭ с Л - параметрами схемы ОБ.| Эквивалентная схема для определения Ь. г е и Лц. Требуется определить А-параметры при использовании того же транзистора в схеме ОЭ. Режим работы по постоянному току предполагается одинаковым.
Для определения А-параметров необходим режим короткого замыкания в выходной цепи и режим холостого хода во входной.
Схемы включения биполярного транзистора. и - с общей базой. б - с обшим эмиттером. в - с общим коллектором. Взаимосвязь между А-параметрами схемы включения транзистора с ОБ и параметрами схемы с ОК или взаимосвязь между й-парамет-рами схемы включения с ОК и параметрами схемы с ОЭ устанавливается аналогично при записи необходимых уравнении и их сравнении.
Как видим, А-параметры определяются только элементами Г - образного четырехполюсника и не зависят от внешних воздействий.
Установим связь между А-параметрами и Z-параметрами.
Один из способов определения А-параметров основан на опытах холостого хода и короткого замыкания четырехполюсника со стороны выходных зажимов.

Поскольку характеристические параметры выражаются через а-параметры, цепочечная матрица четырехполюсника может быть выражена через его характеристические параметры.
Из соотношений (10.33) и свойства а-параметров (8.18) определяется также нормирующий множитель N. При этом становятся известными коэффициенты (10.33) цепочечной матрицы.
В чем заключается физический смысл а-параметров четырехполюсника.
В справочниках по полупроводниковым приборам приводятся А-параметры, которые характеризуют приборы при малых изменениях токов и напряжений.
По сравнению с Z - и F-параметрами А-параметры имеют смешанную размерность, поэтому их называют смешанной или гибридной системой параметров: Аи - входное сопротивление транзистора; hyi - коэффициент обратной связи по напряжению; А21 - коэффициент передачи ( усиления) тока; h22 - выходная проводимость транзистора. Коэффициент hn показывает степень влияния выходного напряжения на входные вольт-амперные характеристики.
В настоящее время наибольшее распространение получила система А-параметров, так как при ней отпадает необходимость в трудно осуществимых режимах холостого хода на выходе и короткого замыкания на входе транзистора. Поэтому все параметры в данной системе легко измеряются. Кроме того, здесь непосредственно измеряется важный для расчетов параметр hai а для схемы ОБ или h21 0 для схемы ОЭ.
Как ( / - параметры, так и А-параметры могут быть выражены через z - napa - метры и обратно. Также нетрудно установить связь между сопротивлениями Т - образной эквивалентной схемы рис. 4.26 и у - или А-параметрами подобно тому, как это было сделано для z - параметров; ( / - параметры более удобны для анализа свойств транзисторов на высоких частотах, для чего нередко и используются. Преимуществом Л - параметров является простота их экспериментального определения, почему они обычно и приводятся в справочных данных.
Это легко доказать, если выразить в данном А-параметры, например, через Z-параметры.
Для решения задач нахождения обобщенных параметров v, первичные а-параметры имеют различную существенность.
Это легко доказать, если выразить в данном определителе А-параметры, например, через Z-параметры.
На низких частотах z -, у -, А-параметры - активные величины, а на высоких - комплексные вследствие наличия в эквивалентной схеме частотно-зависимых элементов.
Несколько по-иному формулируется условие взаимности четырехполюсника, описанного системой А-параметров.
Карта характерных режимов генерации гиро - ЛВВ СВС на плоскости управляющих параметров ( А, / л, построенная при коэффициенте связи а 0 6. Область S - область отсутствия колебаний, G - одночастот-ной, Т - периодической и С - хаотической автомодуляции. штриховыми и штрих-пунктирными линиями отмечены соответствующие бифуркационные линии для гиро - ЛВВ без СВС ( а 0. На рис. 7.29 представлено разбиение плоскости параметров безразмерная длина системы А-параметр неизохронности р на характерные режимы пространственно-временных колебаний в гиро - ЛВВ СВС. На рисунке выделены области отсутствия колебаний ( область 51), одночастотной генерации ( G), периодической ( Т) и хаотической ( С) автомодуляции выходного сигнала.
Электронная лампа как четырехполюсник чаще всего характеризуется Y - или А-параметрами.

Такая форма записи уравнений четырехполюсника называется системой уравнений четырехполюсника с А-параметрами.
Электронная лампа как четырехполюсник чаще всего характеризуется V - или А-параметрами.
При изменении направления передачи энергии через четырехполюсник во всех выражениях, включающих А-параметры, коэффициенты А1Х и А2г меняются местами.
При изменении направления передачи энергии через четырехполюсник во всех выражениях, включающих А-параметры, коэффициенты АЦ и А 22 меняются местами.
Определение малосигнальных параметров по статическим характеристикам транзистора осуществляется наиболее просто для системы А-параметров. Для этого необходимо прежде всего выполнить графически условия, при которых определяются параметры: провести через заданную рабочую точку линии, параллельные осям координат и соответствующие, таким образом, условию постоянства тех или иных токов и напряжений. Второму условию постоянства тока или напряжения отвечает сама характеристика.
Зв) Применяя к решению фо О преобразование Бэклунда дважды ( с различными комплексными а-параметрами), найти действительные зависящие от времени решения уравнения синус - Гордона. Проверить, что это действительно решения, прямой подстановкой в уравнение синус - Гордона.
Но эти величины можно также определить из физических соображений, сопоставляя их с А-параметрами.
Схема измерения обратного тока коллектор - эмиттер ( полярности указаны для р-п - р транзистора.| Схема измерения / i-параметров транзисторов. В этом разделе приводятся краткие сведения об измерении обратного тока коллектор - эмиттер, А-параметров, емкостей коллекторного и эмиттерного переходов, временных параметров.
Так как транзисторы обоих каскадов однотипны и имеют оди - паковые эмиттерные токи, их А-параметры равны.
В главе 2 было показано, что для измерений в кристаллических триодах наиболее удобными являются А-параметры. Поэтому большой интерес представляют соотношения для параметров трех основных усилительных схем, выраженные через А-параметры. Поэтому / z - параметры для этой схемы приняты в таблице 3.2 за основные, через которые выражены соотношения для других схем включения. В таблице 3.2 также приведены выражения для А-параметров, г-параметров и у-параметров через / г-параметры схемы с.
Следует отметить, что найденные общие выражения (5.8), (5.10) и (5.12) соответственно для Z -, Y - и А-параметров содержат 12 параметров. Поскольку используют три схемы включения транзистора ( ОБ, ОЭ, ОК), то возможно существование 36 параметров.
Следует отметить, что наиденные общие выражения (5.8), (5.10) и (5.12) соответственно для Z -, У - и А-параметров содержат 12 параметров. Поскольку используются три схемы включения транзистора ( ОБ, ОЭ, ОК), то возможно существование 36 параметров. Чтобы отличать системы параметров по схеме включения транзистора, делают индексную приписку к данному параметру. Например, Ацб - означает входное сопротивление транзистора, включенного по схеме с ОБ.
Все задачи в этой главе и их решения предусматривают выбор положительных направлений токов и напряжений в соответствии с рис. 6.1, а для А-параметров, с рис. 6.1, б для Y -, Z -, Н -, G-параметров и с рис. 6.1, в для В-па-раметров.
В справочной литературе обычно даются также пересчетные формулы, с помощью которых по известным / i-параметрам для схемы транзистора с общим эмиттером можно получить А-параметры для схемы транзистора с общей базой или с общим коллектором.

Коэффициенты АИ, Ai2, AZI, Й22 отражают электрические свойства транзисторов в отношении малых сигналов низкой частоты в выбранной рабочей точке и называются А-параметрами. Их легко определить, осуществив режим короткого замыкания ( к. Подставляя значения напряжения Д ( / 20 при к.з. на выходе и тока ДЛ0 при х.х. на входе в приведенные выше уравнения, можно определить А-параметры.
Коэффициенты Ац, А [ г, A2i, / 22 отражают электрические свойства транзистора в отношении малых сигналов низкой чдстоты в выбранной рабочей точке и называются А-параметрами. Их легко определить, осуществив режим короткого замыкания ( к. Подставляя значения напряжения Д / 20 при к.
R 0) выходное сопротивление формирователя / равно сопротивлению сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора: гт - - Ясно; - U А / 1с, где U А-параметр, аналогичный напряжению Эрли для биполярных транзисторов.
Эквивалентный трехполюсник может быть охарактеризован при помощи одного из следующих параметров: сопротивлений ( z - параметры), проводимостей ( ( / - параметры) или в системе смешанных А-параметров. Выбор системы, характеризующей свойства эквивалентного трехполюсника, в значительной мере произволен, так как каждая система в определенных условиях имеет свои преимущества. Но наиболее применимы в настоящее время у - и / i-параметры.
Из четырех - параметров только модуль проводимости У ш являясь величиной взаимообратной hn ( в обоих случаях осуществляется короткое замыкание по переменному току на выходе), совпадает по смыслу с соответствующей величиной в системе А-параметров и ее физическим эквивалентом - дифференциальным сопротивлением гэ ДИф в схеме ОБ.
А-параметры и параметры XX и КЗ через характеристические.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11