Большая техническая энциклопедия
0 1 3 5 8
D N
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
ПА ПЕ ПИ ПЛ ПН ПО ПР ПС ПУ ПЬ ПЯ

Паразитный диод

 
Паразитный диод в этом случае полностью исключен, поэтому потери его восстановления мы не учитываем.
Сквозной ток в синхронной схеме. Очевидно, что паразитный диод полевого транзистора не является элементом со специально подбираемыми свойствами. Это означает, что трудно ожидать от него высоких коммутационных качеств. В то же время диоды Шоттки проектируются таким образом, чтобы максимально снизить потери обратного восстановления. Поэтому уменьшить потери в процессе выключения паразитного диода можно, подключив параллельно синхронному транзистору диод Шоттки, как показано на рис. 10.14. Чтобы понять, почему нужно так поступать, рассмотрим форму тока разрядного диода при его обратном восстановлении.
Мы уже хорошо знаем, что при изготовлении полевых транзисторов в их структуре обязательно появляется паразитный диод сток-исток, который не находит практического применения, а зачастую просто мешает нормальному функционированию схем. Кроме того, высоковольтные транзисторы MOSFET всегда имеют большое сопротивление в открытом состоянии, что, конечно, затрудняет их массовое использование при напряжениях UCH 300 В.
Из главы, посвященной элементной базе силовой электроники, мы знаем, что в своем составе транзистор MOSFET имеет паразитный диод. В схеме синхронного выпрямителя этот паразитный диод оказывается включенным в том же направлении, что и диод Шоттки. Вдобавок ко всему получается, что полевой транзистор должен работать в этой схеме при отрицательных токах и напряжениях. Проведенные авторами статьи исследования показали, что в условиях отрицательных токов и напряжений характеристики MOSFET, применяемого в качестве синхронного элемента, даже лучше, чем в условиях положительных токов и напряжений.
Из описания модели следует, что она представляет собой нелинейную двумерную модель транзистора, которая учитывает такие явления, как эффект Эрли, высокие уровни инжекции, модуляцию сопротивлений базы и коллектора, паразитные диоды эмиттера и коллектора, расположенные в пассивной зоне транзистора. В то же время структура модели достаточна компактна и удобна для применения в универсальных машинных программах.
Из главы, посвященной элементной базе силовой электроники, мы знаем, что в своем составе транзистор MOSFET имеет паразитный диод. В схеме синхронного выпрямителя этот паразитный диод оказывается включенным в том же направлении, что и диод Шоттки. Вдобавок ко всему получается, что полевой транзистор должен работать в этой схеме при отрицательных токах и напряжениях. Проведенные авторами статьи исследования показали, что в условиях отрицательных токов и напряжений характеристики MOSFET, применяемого в качестве синхронного элемента, даже лучше, чем в условиях положительных токов и напряжений.
Характеристика вход-выход ТТЛ элемента.| ТТЛ элемент. Так как вся ИС изготовляется с помощью процессов диффузии на общей кремниевой подложке, то коллекторная область каждого из транзисторов образует по отношению к подложке обратносмещенный диод. Наиболее заметное влияние на внешние характеристики ТТЛ ИС оказывают паразитные диоды Дб и ДУ, показанные на рис. 7.27 пунктиром. Эти диоды ограничивают отрицательные выбросы напряжения во входных и выходных цепях схем.
Направление тока коллектора меняется на противоположное при том же направлении тока базы. Если ток базы задается от идеального генератора тока и отсутствует паразитный диод Дк.
Расчетные схемы элемента ДТЛ-типа для. При выходных напряжениях, меньших - 1 3 В, обе выходные характеристики элемента сливаются в одну прямую линию. Характеристики, представленные на рис. 3.4, в, построены для гибридного варианта элемента ДТЛ-типа, у которого отсутствует паразитный диод коллектор-подложка.
Положительные и отрицательные выбросы в цифровых сигналах, управляющих АЦП, кроме возможного повреждения устройства, могут привести к сбоям при передаче информации. Например, отрицательного выброса величиной 0 3 В ниже уровня земли на тактирующем входе АЦП достаточно, чтобы открылись паразитные диоды между схемой на кристалле и подложкой. Это явление, помимо нарушения процесса преобразования, может привести к тому, что преобразователь вместо одного фронта тактового сигнала будет воспринимать несколько.
Модель трехслойного паразитного транзистора.| Модель паразитного диода. При расчете ИМС можно не учитывать влияние всех особенностей транзисторной структуры, поэтому удается существенно упростить ее модель. Так, например, в большинстве случаев путем введения примеси золота удается настолько уменьшить коэффициенты переноса неосновных носителей для паразитных транзисторов, что активным действием этих транзисторов можно пренебречь, учитывая только влияние емкости подложки. Паразитные диоды также можно исключить ( так как они обычно смещены в обратном направлении), оставив только зарядные емкости этих диодов. При указанных допущениях решающей становится модель активной области базы, коллектор которой шунтируется паразитной емкостью подложки. Эту модель тоже можно упростить, исключив из нее диоды, учитывающие влияние токов основных носителей.

Очевидно, что паразитный диод полевого транзистора не является элементом со специально подбираемыми свойствами. Это означает, что трудно ожидать от него высоких коммутационных качеств. В то же время диоды Шоттки проектируются таким образом, чтобы максимально снизить потери обратного восстановления. Поэтому уменьшить потери в процессе выключения паразитного диода можно, подключив параллельно синхронному транзистору диод Шоттки, как показано на рис. 10.14. Чтобы понять, почему нужно так поступать, рассмотрим форму тока разрядного диода при его обратном восстановлении.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11